化合物半导体装置及其表面处理加工方法

摘要

依据本发明，在Ⅲ－V族化合物半导体表面上形成凹凸以防全反射，而在凹凸表面上形成SiNx膜。因此可藉表面凹凸来提高外部量子效率。再者，由于SiNx膜设在凹凸上，增加粘合强度。结果是，防止SiNx膜剥离，改进抗湿性，以及由防止氧化而延长LED之有效寿命。