发明名称 | 硅高温压力传感器 | ||
摘要 | 一种硅高温压力传感器。涉及一种测量压力的存在及其数值大小的半导体敏感器件,尤其是在较高温度下测量。此实用新型主要由硅杯及应变膜和联结成电桥的四个压敏电阻构成。硅杯6的应变膜11与多晶压敏电阻1、2、3、4之间是二氧化硅绝缘膜5。这种硅高温压力传感器既可在常温下工作又可在较高温度下工作,其工作温度可达400℃,而且其结构小巧,制造工艺简便,易于工业化生产。在化工、石油、航天、医疗、食品和气象等技术领域具有重要的实用价值。 | ||
申请公布号 | CN2110217U | 申请公布日期 | 1992.07.15 |
申请号 | CN91232215.2 | 申请日期 | 1991.12.13 |
申请人 | 天津大学 | 发明人 | 张维新;朱秀文;毛赣如 |
分类号 | G01L1/16;G01L1/18 | 主分类号 | G01L1/16 |
代理机构 | 天津大学专利代理事务所 | 代理人 | 刘志刚 |
主权项 | 1、一种主要由硅杯及其应变膜和联结成电桥的四个压敏电阻构成的硅高温压力传感器,其特征是:硅杯[6]的应变膜[11]与多晶硅压敏电阻[1]、[2]、[3]和[4]之间是二氧化硅绝缘膜[5],金属电极[7]、[8]、[9]和[10]将所述多晶硅压敏电阻[1]、[2]、[3]和[4]联结成了电桥。 | ||
地址 | 天津市南开区七里台 |