| 摘要 |
본 발명은 아조벤젠 결합 PVDF필름을 이용하는 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일예와 관련된 MFMIS형 전계효과 트랜지스터는 소오스 및 드레인 영역과 그 사이에 채널영역이 형성되는 기판과, 상기 채널영역상에 형성되는 절연층, 상기 절연층 상측에 형성되는 하부전극층, 상기 하부전극층상에 형성되는 강유전체층 및, 상기 강유전체층상에 형성되는 상부전극층을 포함하여 구성되고, 상기 하부 전극층이 데이터 전극, 상부 전극층이 접지 전극으로 설정되며, 상기 강유전체층의 분극값에 의해 상기 소오스 및 드레인간의 도통상태가 설정되고, 상기 강유전체층은 아조벤젠 및 PVDF가 결합된 PVDF-아조벤젠 폴리머 필름일 수 있다. |
