III-V Substrate Used for Group III-V Nitride Growth and Method for Preparation thereof

摘要

본 발명에서는 III-V족 질화물 성장에 이용되는 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 바, 상기 방법에는 적어도 1) 성장 기판을 제공하는 바, 상기 성장 기판 표면에 후속 발광 에피택시얼 구조 성장에 이용되는 버퍼층이 형성되는 단계; 2) 상기 버퍼층 표면에 반도체 매질층을 형성하는 단계; 3) 포토리소그래피 공정을 통하여 상기 매질층을 이격되게 배열되는 다수의 돌기로 에칭하고 또한 각 돌기 사이의 버퍼층을 노출시키는 단계;가 포함된다. 상기 방법은 발광 에피택시얼 구조를 성장하는 결정체 품질을 확보할 수 있을 뿐 아니라, 또한 발광 다이오드의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 공정이 간단하고 제조 원가를 낮추는데 유리하며 산업 생산에 적용된다.