| 主权项 |
1﹒一种制造包含有分布式布雷格反射器之装置的制程,此布雷格反射器包含若干高及低析射率材质层,所述高低折射率是相对于在装置操作中所欲使用的指定波长之电磁波能量而言,其中该折射率材质之一是以磊晶方式成长而成者,特征在于另一该折射率材质是以再填回经蚀刻移除之磊晶成长可抛弃材质而制成的,藉此使分布式布雷格反射器包括有至少一个具有高或低折射率的保留层,此保留层与至少一个折射率与该保留层大小相同的再填回层相接触,其中该蚀刻移除磊晶成长可抛弃材质之成份与该至少一层保留层之成份不同,比火中之蚀刻移除是藉由使用蚀剂来选择性地移除该可抛弃材质向达成的。2﹒如申请专利范围第1项所述的制程,其中该反射器基本上包含交替之高与低折射率材质层。3﹒如申请专利范围第1项所述的制程,其中各磊晶成长可抛弃材质层基本上包含有多数个不同成份的均匀薄子层,其中一子层之成份实质上较易为申请专利范围第1项所述用来达成选择性移除之蚀剂所溶解。4﹒如申请专利范围第1项所述的制程,其中使用能达成再填回的前驱材质来进行再填回,该材质基本上包含热固性聚合材料,其于再填回后硬化。5﹒如申请专利范围第1项所述的制程,其中达成蚀刻移除后必需进行至少一个将蚀剂去除的步骤。6﹒如申请专利范围第5项所述的制程,其中将蚀剂去除时引入可持蚀剂溶解的材质。7﹒如申请专利范围第6项所述的制程,其中饱剂是一种水溶液,而将蚀剂去除时需将其进一步稀释。8﹒如申请专利范围第7项所述的制程,其中于所述进一步稀释后引入与再填回材质相容的有机溶剂材质。9﹒如申请专利范围第5项所述的制程,其中于蚀剂去除后予以超临界点地烘乾。10﹒如申请专利范围第9项所述的制程,其中之超临界烘乾包含引入温度及压力位于其临界点上之二氧化碳,而且此起临界烘乾在蚀剂去除后马上进行。11﹒如申请专利范围第1项所述的制程,其中n最少等于1。12﹒如申请专利范围第11项所述的制程,其中n最少等于1﹒8,而保留之折射率材包含砷化铝镓。13﹒一种利用申请专利范围第1至第12项中任一项的制程所制造出来的产品。 |
