| 主权项 |
1﹒一种低反离子涂布之双井区制程,其为形成一种高密度积体电路,且此电路具较低N井区及P井区及相互植入之自动对准制程,包括,以二氧化矽、复晶矽及氮化矽之复合结构,于矽晶上,应用微影技术及非等向性蚀刻技术定义出N井区,并利用等向性蚀刻形成氮化矽之下切,使在氧化过后形成N井区并延伸氧化层之鸟嘴超出N井区,以具较长鸟嘴之氧化层为光罩,进行P井区相互植入,以此N井区/P并区自动对准及较低相互植入区为基础,形成完整之金氧半导体元件。2﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中,场植入P区只存在p井区之内。3﹒如申请专利范围第2项所述之制程,其中,扬植入P区为使用硼为植入剂。4﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中,进入复晶层之氮化矽下切深度在3500埃到1000@埃之间。5﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中﹒等向性蚀刻为采用过氧化钾之蚀刻。6﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中,等向性蚀刻为使用SF6及O2之电浆蚀刻方式。7﹒如申请专利范围第1项所述之制程,其中,复合层包括第二层之二氧矽于复晶层/氮化矽间,而厚度在200-1000埃间,复晶层之厚度在3500-10000埃间。8﹒一种低反离子涂布之双井区制程,其系采用较低之N井区及P井区相互植入之方法,进行高密度金氧半导体之制造,步以包括,形成一程复合层于矽品上,此复合层包括二氯化矽,复晶矽及氮化矽于矽晶上,并且有光罩之作用以形成N井区及自动对准之P井区,由等向性之蚀刻形成深入复晶层之氮化矽下切,并以此结构定义N井区,由于氧化在下切处较无下切之结构较易氧化,而形成N井区氧化层之鸟嘴延伸比横向扩散大,此N井区氧化层再为P井区植入之自动对准光罩,并可发挥降低N井区/P井区相邻处相互植入之程度,在N井区及p井区形成后,去除所有二氧化矽,露出N井区及P井区之矽晶层供后续金氧半导体之后续制程之基础。9﹒如申请专利范围第8项所述之制程,其中,场植入P区为在场氧化之下,并仅存于P井区。10﹒如申请专利范围第9项所述之制程,其中,场植入p区为TAA植入形成,并使用光罩排除非P井区之区域并于氮化矽蚀刻后场氮化形成前进行。11﹒如申请专利范围第8项所述之制程,其中,深入复晶层之氮化矽下切,其深度在3500埃到10000埃间;且等向性蚀刻采用过氧化钾。12﹒如申请专利范围第8项所述之制程,其中,等向性蚀刻为采用SF6及O2之电浆蚀刻方式。13﹒如申请专利范围第8项所述之制程,其中,复合层包括一二氧化矽于复晶矽及氮化矽间,其厚度在200到1000埃间且复晶竹之厚度在3500-10000埃间。14﹒如申请专利范围第8项之制程,其制程范围扩及整个互补式之金氧半导体元件于矽晶片上之元件制造。15﹒一种改进之方法应用于高密度积体电路之制造,以形成较低杂质相互掺杂之N及P井区结构:使用多层之结构为光罩,此结构包括二氧化矽,复晶矽及氮化矽之组合,形成于单晶矽衬垫上,供N外区形成之光罩;应用等性向之蚀刻去除复晶层,并在氮化矽下之复晶矽形成下切结构,N井区并以氮化矽为光罩,进行离子之植入动作。经由N井区矽晶衬垫之氧化及氮化矽下之复晶下切结构后续之P井区可由此而定义出并使用N井区上矽晶衬垫上形成之氧化层为光罩,以达到降低N井区及P井区杂质相互掺杂之程度。16﹒如申请专利范围第15项所述之方法,其中,P场区是在场氧化层之下,且只在P井区内,其形成方式为使用光罩进行定义使非P场区在光罩保护下用硼离子植入进行。17﹒如申请专利范围第15项所述之方法,其中,进入复晶矽之氮化矽下切其程度在3500到10000埃之间,使用之等向性蚀刻为采用过氧化氢溶液。18﹒如申请专利范围第15项所述之方法,其中,进入复晶矽之氮化矽下切其程度在3500到10000埃之间,使用之等向性蚀刻为采用六氟化硫及氧气之蚀刻气源。19﹒如申请专利范围第15项所述之方法,其中,复合结构中,二氧化矽之厚度在200-1000埃间,复晶矽之厚度在3500到10000埃之间。20﹒如申请专利范围第15项所述之方法,其中,金氧半导体积体元件为形成于矽晶单晶衬垫之上。图示简单说明图1到图7简要说明本发明如何利用复晶之下切及形成较长之鸟嘴,以达到降低N及P井区闲相互植入之程度。图8到图12说明完成高密度互补式金氧半导体元件之制程。 |
