发明名称 PROCESS SEQUENCE FOR REDUCING PATTERN ROUGHNESS AND DEFORMITY
摘要 결함(defectivity)이 감소된 기판을 패터닝하는 방법이 기재된다. 리소그래피 기술을 이용하여 방사선 민감성 물질의 층에 패턴이 형성되면, 기판 상에 형성된 패턴은 후처리된다. 방사선 민감성 물질의 층 내의 패턴의 후처리가 수행되어 패턴의 조도를 감소시킨다. 후처리는 패턴에 대하여 처리 프로세스를 수행하여 패턴의 노출면의 용해성을 변경하는 것을 포함하고, 처리 프로세스는 제1 계면활성제를 포함하는 액상 화학 용액을 이용하여 패턴의 제1 화학적 처리를 수행하거나 제1 EM 방사선과는 다른 제2 EM 방사선에 패턴을 노출시키는 것을 포함한다. 처리 프로세스 후, 후처리는 패턴을 하드베이킹하는 것과 기상 화학 용액을 이용하여 패턴의 제2 화학적 처리를 수행하여 조도를 감소시키는 것을 포함한다.
申请公布号 KR101680442(B1) 申请公布日期 2016.11.28
申请号 KR20147035026 申请日期 2013.05.14
申请人 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 发明人 가와카미 시니치로
分类号 G03F7/00;G03F7/004 主分类号 G03F7/00
代理机构 代理人
主权项
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