| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un pont diviseur auto-protégé réalisé dans un circuit intégré comprenant, dans un substrat (12) d'un premier type de conductivité à faible niveau de dopage, un caisson (11) du deuxième type de conductivité à faible niveau de dopage comprenant une région diffusée (10) du premier type de conductivité formant une résistance et munie de premier et second contacts extrêmes (A, B) et d'un contact intermédiaire (C). Le premier contact (A) est relié à un plot recevant normalement une tension extérieure (VH) supérieure à la tension d'alimentation (VDD) du circuit intégré. Le deuxième contact (B) est relié au potentiel de référence (VSS) du circuit intégré ainsi que le substrat. Le caisson comprend un troisième contact (D) voisin du premier contact et relié à ce premier contact, et un quatrième contact (E) voisin du deuxième contact et relié à ce deuxième contact. <IMAGE></p> |
