发明名称 双极化、低杂讯、高阻隔之放大降频器之接收探针结构
摘要 本创作之「双极化.低杂讯.高阻隔之放大降频器之接收探针结构」其包含有:A探针、B探针、金属柱、外壳,其主要目的是在于,一对相互垂直之探针,隔开设置,其一A探针系以一外加金属柱作为短路背平面;另一B探针则以外壳金属壁作为短路背平面,而在两探针相距不限,但不可为入g/4,以防止一探针位于金属柱上方影响接收损失及垂直与水平面信号的高阻性。
申请公布号 TW214909 申请公布日期 1993.10.11
申请号 TW082209060 申请日期 1993.06.29
申请人 许锦辉 发明人 许锦辉
分类号 H01Q9/04 主分类号 H01Q9/04
代理机构 代理人 程培灵 台北巿和平东路二段一○○号八楼之六;樊贞松 台北巿和平东路二段一○○号八楼之六
主权项 1﹒一种双极化,低杂讯,高阻隔之放大降频器之接收探针结构,系包含有:A探针、B探针、金属柱、外壳,藉该A探针设置于金属柱前方位,该探针设置于该金属柱之后方位,其特征在于:藉一对相互垂直之探针,隔开设置,其一A探针系以一外加金属柱作为短路背平面;另一B探针则以外壳金属壁作为短路背平面,而在两探针相距不限,但不可为g/4,以防止一探针位于金属柱上方影响接收损失及垂直与水平面信号的高阻性;及两探针相互垂直,且隔间设置探针的距离则依输出位置所需和特性规格的需求而定。2﹒如申请专利范围第1项所述之双极化,低杂讯,高阻隔之放大降切器之接收探针结构,另一种设计方式,是藉该A探针与B探针,分别设置于金属柱之前方位;其在该A探针到金属柱之距离为g/4时,若A探针到B深针之距离若小于,A探针到金属柱之距离g/4时,则该阻隔性便会稍差,但因两输出较近,可作合并性的路线及布局容易。图示简单说明:第一图系本创作之探针结构图A第二图系本创作之探针结构平面剖视图B第三图系本创作之探针结构图C第四图系本创作之探针结构平面部视图D
地址 苗栗县后龙镇秀水里秀水六十号