| 摘要 |
ArF 엑시머 레이저 노광용 포토마스크를 제작하기 위해 이용되는 포토마스크 블랭크에 관한 것으로, 반도체 디자인 룰에서의 DRAM 하프 피치(hp) 32㎚ 이후의 세대에의 적용을 목적으로 한다. 파장 200㎚ 이하의 노광광이 적용되는 포토마스크를 제작하기 위해 이용되는 포토마스크 블랭크로서, 상기 포토마스크 블랭크는, 투광성 기판과, 투광성 기판 상에 형성되고, 몰리브덴 및 실리콘을 함유하는 차광막과, 그 차광막 상에 접하여 형성되고, 크롬을 함유하는 에칭 마스크막을 구비하고, 상기 차광막은, 상기 투광성 기판측으로부터 차광층과 반사 방지층을 이 순서대로 구비하고, 상기 차광층의 몰리브덴의 함유량이 9원자％ 이상 40원자％ 이하이며, 상기 에칭 마스크막의 크롬의 함유량이 45원자％ 이하인 것을 특징으로 하는 포토마스크 블랭크이다. |
