发明名称 Ce PZT CERIUM-DOPED PZT PIEZOELECTRIC FILM
摘要 이 Ce 도프의 PZT 계 압전체막은, 일반식 : PbCeZrTiO으로 나타내는 Ce 도프의 복합 금속 산화물로 이루어진다. 또 상기 일반식 중의 x, y 및 z 는, 0.005 ≤ x ≤ 0.05, 0.40 ≤ y ≤ 0.55, 및 0.95 ≤ z ≤ 1.15 를 각각 만족한다. 또한 상기 Ce 도프의 PZT 계 압전체막의 분극량의 히스테리시스는 그 중심으로부터 부측으로 4 ㎸/㎝ 이상 시프트하는 것이 바람직하다.
申请公布号 KR20160138416(A) 申请公布日期 2016.12.05
申请号 KR20167026248 申请日期 2015.03.23
申请人 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 发明人 도이 도시히로;사쿠라이 히데아키;소야마 노부유키
分类号 H01L41/187;C01G25/00;H01L41/083;H01L41/318 主分类号 H01L41/187
代理机构 代理人
主权项
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