誘電体材料における陥凹構造のスミア除去のための処理方法

摘要

本発明は、プリント回路基板、ＩＣ基板などの製造中での誘電体材料における陥凹構造のスミア除去のための処理方法に関する。前記誘電体材料は、硫酸６０〜８０重量％及びペルオキソ二硫酸イオン０．０４〜０．６６モル／ｌ並びにアルコール、エーテル分子及び高分子量エーテルから選択される少なくとも１種の安定添加剤を含有する水溶液と接触させられる。スミアは、プロセスケミカルが前記誘電体材料に浸透することなく、本発明に従った方法によって陥凹構造から除去され、かつ十分に低い銅エッチング速度が達成される。更に前記水溶液の保管寿命は、銅イオンの存在下ですら改善される。