| 主权项 |
1﹒一种用以在一个绝缘基体上制成金属配线的方法,包含下列步骤:在该绝缘基体之一个预定位置上形成具一种预定形状的一层金属配线层,且该金属配线层系以可被氧化的一种金属所制成;对该金属配线层植入一种杂质元素;以及 ,藉着在植入该杂质元素之后将该金属配线层之表面氧化而形成一层绝缘层。2﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属配线层之该金属系选自钽(Ta)、铌(Nb)、钛(Ti)、与铝(Al)所组成之组群。3﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该杂质元素系选自氮与碳所组成之组群。4﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中对该金属配线层植入该种杂质元素的该步骤系藉离子浴技术执行。5﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中对该金属配线层植入该极杂质元素的该步骤系藉电浆退火技术执行。6﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该等金属配线包括供采用多个薄膜电晶体之一种主动式矩阵基体用的多道闸极电极配线。7﹒依据申请专利范围第1项所述之方法,其中该等金属配线包括供采用多个薄膜二极体之一种主动式矩阵基体用的多道扫描信号配线。图示简单说明:第1图系利用依据本发明用于产制金属配线之一方法所制作成之一个主动式矩阵基体的部份平面图。第2A至21图系沿第1图所示之线A一A取得的多幅片段剖视图,用以显示制作第1图之该主动式矩阵基体之过程的各阶段。第3图系为供第1图之该主动式矩阵基体用之一道闸极电极配线的一幅放大剖视图。第4图系为显示在第3图之该闸极电极配线内随该闸极电极配线之深度而变之氮浓度分布状况的一幅图表。第5图系利用依据本发明用于产制金属配线之该方法所制作成之另一个主动式矩阵基体的部份平面图。第6A至6E图系沿第5图所示之线B 一B 取得的多幅片段剖视图,用以显示制作第5图之该主动式矩阵基体之过程的各阶段。 |
