| 主权项 |
1﹒一种半导体封装件,系包括:一半导体晶片;多数个垫片,系沿该晶片之一纵向线设置于该晶片之中央上方表面处;多数条内引线;传导装置,形成于该等垫片上,供分别将该等内引线电气式地连接至该等垫片一层绝缘膜,敷覆于该半导体晶片之表面上,供防止该等内引线与该半导体晶片之一电路之间发生电气干扰;以及一层包封层,供包封该半导体晶片与该等内引线。2﹒如申请专利范围第1项之半导组封装件,其中形成于该晶片之中央部位的该等接合物系由Pb─Sn合金或熔融温度高于环氧树脂固化温度的任何其他焊料研制。3﹒如申请专利范围第2项之半导体封装件,其中形成于该晶片之中央部位的该等每一接合物形成球形。4﹒如申请专利范围第1项之半导体封装件﹒其中形成于该晶片之中央部位的该晶片之该等垫片系沿该晶片之二纵向线排列着,且有该等接合物形成在其上。5﹒如申请专利范围第4项之半导体封装件,其中该晶片之该等垫片系交互地锯齿状地排列着,且该等接合物系形成在其上。6﹒如申请专利范围第4项之半导体封装件,其中形成于该晶片之中央部位的该晶片之该等垫片系被排列成互相平行,且该等接合物系形成在其上。7﹒一种制造半导体封装件之方法,其步骤包括:敷设一层绝缘层于该半导体晶片之一表面上;在形成于该晶片中央部位处之诸垫片上形成各接合物;将一引线框之诸内引线焊接于该等接合物,以便将该晶片电接于该等内引线;塑模一包封环氧树脂涂层,以便覆盖包括该半导体晶片及该等内引线在内之一预定区域;以及修整及形成已由上述步骤处理过之该封装件。8﹒如申请专利范围第7项之方法,其中用来形成接合物之步骤更包括:在晶片之垫片的金属化处理期间,将Cr/Cu/Au层施致于该半导体晶片上;将焊料合金涂覆于该Cr/Cu/Au层上;以及加热该晶片,俾使该等接合物形成在该等垫片上。9﹒如申请专利范围第8项之方法,其中该等焊料合金系藉蒸发或机射法敷覆于该晶片片上。10﹒如申请专利范围第8项之方法,其中用以焊接该等内引线之该步骤更包括:将该引线框之该等内引线对准该晶片之该等接合物,以及在将该晶片配置于接合炉内之后,增加该接合炉之内部温度,以将该等内引线焊接于该等接合物,从而将该等内引线接合于该等接合物上。 |
