UTILIZATION OF ANGLED TRENCH FOR EFFECTIVE ASPECT RATIO TRAPPING OF DEFFECTS IN STRAIN-RELAXED HETEROEPITAXY OF SEMICONDUCTOR FILMS

摘要

본 개시내용의 실시예들은 헤테로에피택셜 성장 필름 내의 전위 밀도를 감소시키는 것, 및 감소된 전위 밀도를 갖는 헤테로에피택셜 필름들을 포함하는 디바이스들에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들에 따르면, 고 종횡비 트렌치들의 측벽들은, 고 종횡비 트렌치들의 길이를 따라 전파되는 결함들을 포함하여, 고 종횡비 트렌치들 내에 형성되는 결정질 재료에서의 결함들이 기울어진 측벽들에서 종단되는 것을 허용하도록 기울어지거나 경사질 수 있다. 본 개시내용의 실시예들은, 전계 효과 트랜지스터들에서 Ⅲ-Ⅴ족 원소들을 이용하는 고 이동도 채널들과 같이, 마이크로전자 애플리케이션들을 위한 실리콘(Si) 상의 헤테로에피택셜 성장에서 결함들을 감소시키기 위해 이용될 수 있다.