| 发明名称 |
作为积体电路记忆元件之PZT电容器之制造方法 |
| 摘要 |
形成平面储存电容器元件的方法，具有贵金属或贵金属合金顶部电极、一层锆钛酸铅、以及贵金属或贵金属合金底部电极。 |
| 申请公布号 |
TW222348 |
申请公布日期 |
1994.04.11 |
| 申请号 |
TW080110268 |
申请日期 |
1991.12.30 |
| 申请人 |
精工爱普生股份有限公司 |
发明人 |
史提夫.崔能;李.凯莫狄勒;保罗.修勒;威廉.拉森 |
| 分类号 |
H01L29/40 |
主分类号 |
H01L29/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
