| 发明名称 |
FORMATION METHOD OF SILICON CARBIDE LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06196424(A) |
申请公布日期 |
1994.07.15 |
| 申请号 |
JP19930262957 |
申请日期 |
1993.09.27 |
| 申请人 |
NORTHERN TELECOM LTD |
发明人 |
SHINGU PIN TAI;JIYOSEFU POORU ERURU |
| 分类号 |
H01L21/205;C23C16/02;C23C16/32;C23C16/56;H01L21/329;H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/205 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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