| 发明名称 |
INSULATED GATE FIELD EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH06196500(A) |
申请公布日期 |
1994.07.15 |
| 申请号 |
JP19910174269 |
申请日期 |
1991.05.16 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LAB CO LTD |
发明人 |
YAMAZAKI SHUNPEI;HAMAYA TOSHIJI |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336;H01L21/77;H01L21/84;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/336;H01L29/784 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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