| 主权项 |
1﹒由一带有形成在基质表面上之铜层的电绝缘性基质以及一覆盖多层电路板用之铜层表面的偶合剂膜所构成之内部复合材料层的制造法,其特征为由下述诸步骤所成:将该铜层以一可供应羟基的基剂(base)布满其表面上,并处理于该基质上将一耦合剂涂覆于该铜层表面上,该耦合剂系选自矽氧烷偶合剂、缺酸盐耦合剂与锆酸盐耦合剂中者;及将该耦合剂乾燥以在铜层表面形成膜层,如此制得内部复合材料层,其中之耦合剂系藉着羟基与耦合剂间的反应以化学键合的方式接着于该铜层的表面。2﹒如申请专利范围第1项之方法,其中该基剂系选自氢氧化钠、氢氧化钾、甲氧基化钠、乙氧基化钠及乙氧基化锂。3﹒如申请专利范围第1项之方法,其中矽氧烷偶合剂系选自─胺基丙基三乙基─矽甲烷(silane)、缩水甘油氧丙基三甲氧基─矽甲烷、N──胺基乙基──胺基丙基二甲氧基─矽甲院与N─苯基──胺基丙基二甲氧基─矽甲烷之中。4﹒如申请专利范围第1项之方法,其中钛酸盐耦合剂为四─丁氧基钛。5﹒如申请专利范围第1项之方法,其中锆酸盐耦合剂为丁氧基锆。6﹒由一带有形成在基质表面上之铜层的电绝缘性基质以及一覆盖多层电路板用之铜层表面的偶合剂膜所构成之内部复合材料层的制造法,其特征为由下述诸步骤所成:将该铜层在促进剂存在下以一可供应羟基并同时产生铜离子的基剂(base)布满其表面上,并处理于该基质上,该羟基基可安定的键合于该铜层的表面上,因此可使得该铜层表面布满羟基基;将一耦合剂涂覆于该铜层表面上,该耦合剂系选自矽氧烷偶合剂、钛酸盐耦合剂与铝酸盐耦合剂中者;及将该耦合剂乾燥以在铜层表面形成膜层,如此制得内部复合材料层,其中之耦合剂系藉着经基与耦合剂间的反应以化学键合的方式按着于该铜层的表面。7﹒如申请专利范围第1或6项之方法,其中铜层为Conductor的形式。8﹒如申请专利范围第1或6项之方法,其中该羟基基团系于50℃以下供给列在基质上之铜层。9﹒如申请专利范围第6项之方法,其中之促进剂为选自亚氯酸盐、次亚氯酸盐、过氧二硫酸盐及臭氧中。10﹒如申请专利范围第6项之方法,其中该铜层表面之铜因该促进剂之氧化作用所生成氧化铜的层小于0﹒5g/m2。11﹒如申请专利范围第6项之方法,其中该铜层之表面经所述基剂与促进剂处理,其色相依Munsell色彩系统介于2﹒5R到5Y间,彩度(chroma)为2─14,亮度为2─8之间。12﹒一种制造由至少一种由一带有形成在基质表面上之铜层的电绝缘性基质以及所成之所构成之内部复合材料层与一偶合剂膜所构成的多层电路板的制造法,其特征为由下述诸步骤所成:将该铜层在促进剂存在下以一可供应羟基并同时产生铜离子的基剂(base)布满其表面上,并处理于该基质上,该羟基基可安定的键合于该铜层的表面上,因此可使得该铜层表面布满羟基基;将一耦合剂涂覆于该铜层表面上,该耦合剂系选自矽氧烷偶合剂、钛酸盐耦合剂与锆酸盐耦合剂中者;及将该耦合剂乾燥以在铜层表面形成膜层,如此制得内部复合材料层,其中之耦合剂系藉着羟基与耦合剂间的反应以化学键合的方式接着于该铜层的表面。将至少一该内部复合材料层与至少一外部铜层以预浸物插入两者之间,在经控制的温度、压力及时间下积层制得该多层电路板。13﹒一种制造由至少一种由一带有形成在基质表面上之铜层的电绝缘性基质以及所成之内部复合材料层所构成的多层电路板的制造法,其特征为由下述诸步骤所成:将该铜层在促进剂存在下以一可供应羟基并同时产生铜离子的基剂(base)布满其表面上,并处理于该基质上,该羟基基可安定的键合于该铜层的表面上,因此可使得该铜层表面布满羟基基;将一外部铜层和一预浸物在有耦合剂存在于铜层与预浸物间之情况下积层(laminatinR)于该内部复合材料层的铜层上,该机合剂系选自矽氧烷偶合剂、钛酸盐耦合剂与锆酸盐耦合剂中者;及施以热和压力于所成的积层物上以制得多层电路板,其内之耦合剂系藉着羟基与耦合剂间的反应以化学键合的方式接着于该铜层的表面。14﹒一种多层电路板用的内部复合材料层,其特征为该内部复合材料层系由一电气绝缘基质所成,该电气绝缘基质之至少一面覆有铜层,而该铜层则涂覆有矽甲烷耦合剂以提供两者间的界面结构,其可由下式表示:其中R为有机官能机。 |
