高感度高电流光接收器

摘要

本发明之光接收器及是利用能障型光电晶体（Bulk barrier photo transistors)的架构，并以非晶矽锗作为吸光材料，其间并在光电晶体的集极和基极间加入一层半绝缘材料作为能障增进层，而制造出的能障型异质接面光电晶体，其可改善传统的PIN二极体或萧特基(Schottky)二极体元件的灵敏度低及漏电流大等问题。故本发明之能障型异质接面光电晶体为具有光增益，可放大光讯号，并有高灵敏度的红外线感测器。另外，本红外线感测器在低温低压下可使用PECVD的方式大面积地成长非晶矽及其合金，可降低成本，并且有量产的实用性。

主权项

1﹒一种高感度高电流光接收器,其包括:基板;一集极层,该集极层位于该基板上,且系以非晶矽锗材料形成;一基极层,该基极层位于该集极层上,且系以非晶矽材料形成;一射极层,该射极层位于该基极层上,其系以非晶矽材料形成;及一铝层,该铝层位于该射极层上;其特征在于更包括:一能障增进层,此能障增进层位于该集极层及该基极层之间,且系以一半绝缘材料形成。2﹒如申请专利范围第1项之高感度高电流光接收器,其中,该基板系由在玻璃上蒸镀一层透明导电氧化物而形成。3﹒如申请专利范围第1项之高感度高电流光接收器,其中,该集极层系由在一层n+型非晶矽锗材料上沈积一层本质非晶矽锗材料而形成。4﹒如申请专利范围第1项之高感度高电流光接收器,其中,该基极层系由一层P+型非晶矽材料形成。5﹒如申请专利范围第1项之高感度高电流光接收器,其中,该射极层系由在一层本质非晶矽材料上沈积一层n+型非晶矽材料而形成。6﹒如申请专利范围第1项之高感度高电流光接收器,其中,该半绝缘材料为本质非晶矽碳。7﹒如申请专利范围第2项之高感度高电流光接收器,其中,该透明导电氧化物为氧化锡。8﹒如申请专利范围第3项之高感度高电流光接收器,其中,该本质非晶矽锗材料之沈积厚度可为3000A至7000A,以分别吸收波长为7500A至8300A的红外线。图示简单说明:第l图系本发明之非晶矽/非晶矽锗能障型异质接面电晶体的元件架构截面示意图;第2图系本发明之非晶矽/非晶矽锗能障型异质接面电晶体在集极与射极间偏压Vce大于零时之能带图。