形成半导体记忆晶胞电容器的方法

摘要

本发明所揭露者为记忆晶胞电容器之形成方法，及按照本发明所形成的介质层可显着地降低电流的漏泄。该方法包括之步骤为：沉积一掺杂的多晶矽层以形成该电容器之第一电极，及沉积一Ta2O5的介质层；于该Ta2O5层上沉积一氮化矽层；并使该介质层受高温的热处理。于是SiO2膜及Si3N4膜系以对称的形式配置在该介质层的各对边，藉此可显着地降低电流的漏泄。

主权项

1.一种形成半导体记忆晶胞电容器的方法,包括之步骤为:形成一多晶矽层以形成该电容器之第一电极;于该多晶矽层上形成一TaC_2COC_5C层;于该TaC_2COC_5C层上形成一氮化矽层;实施热处理以便在该多晶矽层与TaC_2COC_5C层之间形成二氧化矽层;及在该氮化矽层上形成一导电材料层以形成该电容器之第二电极。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该项热处理系在温度为摄氏700度至900度之间实施10至30分钟之乾氧化。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氮化矽层沉积之厚度少于20。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中在实施热处理期间,该氮化矽层系变成氮氧化物层。5.一种形成半导体记忆晶胞电容器的方法,包括之步骤为:形成一多晶矽层以形成该电容器之第一电极;于该多晶矽层上形成一TaC_2COC_5C层;实施热处理以便可在该多晶矽层与TaC_2COC_5C层之间形成二氧化矽层;于该TaC_2COC_5C上形成二氧化矽层;及于最后形成的二氧化矽层上形成一导电层以形成该电容器之第二电极。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该热处理系在温度为摄氏700度至900度之间实施10至30分钟的乾氧化。第1(a)及(b)图所示为依据传统技术在电容器电极上的介质层之构造,及第2(a)及(b)图所示为依据本发明在电容器电极上的介质层之构造。第2图所示为本发明记忆晶胞