| 发明名称 | 积体电路的隔离方法 | ||
| 摘要 | 一种积体电路的隔离方法，适用于一浓掺植基板，而上述积体电路的隔离方法包括下列步骤：于上述浓掺植基板之一面形成氧化物层；于上述氧化物层上形成支持层；于上述浓掺植基板之另一面形成淡掺植层；于上述淡掺植层及浓掺植基板形成隔离槽，且上述隔离槽达上述氧化物层，以界定出制作积体电路的元件区；以及于上述隔离槽形成隔离氧化物。 | ||
| 申请公布号 | TW238417 | 申请公布日期 | 1995.01.11 |
| 申请号 | TW083108697 | 申请日期 | 1994.09.21 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨胜雄 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一 | |
| 主权项 | 1.一种积体电路的隔离方法,适用于一浓掺植基板,而上述积体电路的隔离方法包括下列步骤:于上述浓掺植基板之一面形成氧化物层;于上述氧化物层上形成支持层;于上述浓掺植基板之另一面形成淡掺植层;于上述淡掺植层及浓掺植基板形成隔离槽,且上述隔离槽达上述氧化物层,以界定出制作积体电路的元件区;以及于上述隔离槽形成隔离氧化物。2.如申请专利范围第1项所述之积体电路的隔离方法,其中,将上述隔离氧化物形成于上述隔离槽的方法系首先于上述隔离槽形成复矽晶,然后将上述复矽晶予以氧化。3.如申请专利范围第1或2项所述之积体电路的隔离方法,其中,上述淡掺植层为磊晶层。4.如申请专利范围第3项所述之积体电路的隔离方法,其中,上述支持层为复晶矽。第1图系显示用以说明习知积体电路的隔离方法的剖面图;以及第2图系显示用以说明 | ||
| 地址 | 新竹科学工业园区工业东三路三号 | ||