发明名称 一种掺钬的高临界电流密度高磁通针扎力的高温超导体
摘要 本发明涉及一种掺钬的高临界电流密度高磁通针扎力的高温超导体,其特征在于组成为Y<SUB>(1-x)</SUB>Ho<SUB>x</SUB>Ba<SUB>2</SUB>Cu<SUB>3</SUB>O<SUB>7-δ</SUB>,本发明利用稀土元素部分取代Y使得铜氧化物超导体Y-123局域晶格失配形成的应力场对磁通线的有效作用,在不引入其它非超导缺陷而且不改变Y-123结构框架和超导性的前提下,大幅度提高临界电流密度,达100%以上,并且具有较高的超导转变温度,Tc~90K,此技术简单,有规模生产和使用的前景。
申请公布号 CN1098548A 申请公布日期 1995.02.08
申请号 CN93112818.8 申请日期 1993.12.24
申请人 中国科学院物理研究所 发明人 赵忠贤;李阳;周廉
分类号 H01B12/00;H01L39/12;C04B35/00;C04B35/50 主分类号 H01B12/00
代理机构 中国科学院专利事务所 代理人 王幼明;高存秀
主权项 1、一种掺钬的高临界电流密度高磁通针扎力的高温超导体,其特征在于组成为:Y(1-x)HoxBa2Cu3O7-δ;其中X=0.35-0.5。
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