| 主权项 |
1.一种双环型半透光相位移光罩,其制法包括:一在石英板上覆盖一半透光材料之步骤;一在半色调材料上方覆盖一相位移材料层之步骤;一在相移材料层上覆盖一不透光铬材料层之步骤;一覆盖光阻/光罩作业,使光阻适当位置形成开口之步骤;一实施不透光铬材料层蚀刻形成一较大缺口之步骤;一实施相移材料层蚀刻形成一较小缺口之步骤;一实施半色调材料层蚀刻形成一相较于前述较大缺口小之缺口的步骤;及一去除光阻步骤;据以形成一以由内至外依序为半透光材料、相位移材料及不透光铬材料之双环型半透光相位移光罩者。2.如申请专利范围第1项所述之双环型半透光相位移光罩,其中该半透光材料可为半透明铬材料构成者。3.如申请专利范围第1项所述之双环型半透光相位移光罩,其中可改变该半透光材料层、相位移位层及不透光铬材料层之相对位置,可调整光罩之尺寸变化量者。4.如申请专利范围第1项所述之双环型半透光相位移光罩,可调整其中之半透光材料层之透光率,以调整其光罩之尺寸变化量者。5.一种双环型半透光相位移光罩,构造包括:一石英板;一等距间隔配置在石英板上之半透光材料层;一配置在各半色调材料层上方且向外凸伸一适当长度之相位移材料层;一配置在各相移材料层上方且宽度较半色调材料层窄之不透光铬材料层;藉上述三层材料之相对配置关系,构成一种双环型半透光相位移光罩者。6.如申请专利范围第5项所述之双环型半透光相位移光罩,其中该半透光材料可为半透明铬材料者。7.如申请专利范围第5项所述之双环型半透光相位移光罩,其中可改变该半透光材料层、相位移层及不透光铬材料层之相对位置,可调整光罩之尺寸变化量者。8.如申请专利范围第5项所述之双环型半透光相位移光罩,可调整其中之半透光材料层之透光率,以调整其光罩之尺寸变化量者。第一图:系传统光罩及对应电场/光强度曲线图。第二图:系衰减型相移光罩及对应电场/光强度曲线图。第三图:系环型相移光罩及对应电场/光强度曲线图。第四图:系本发明双环型半透光相位移光罩及对应电场/光强度曲线图。第五图:系本发明光罩制程示意图 |
