| 主权项 |
1.一种反应性溅散沈积仪器,包含:一个真空溅散被覆室;一种装置,用以将在一真空压力水平下之溅散气体填充至该室内;一种装置,用以于该室内固定一个基板;一种装置,用以于该真空室内支撑一种溅散靶材,其溅散表面朝向固定在该固定装置上之一个基板;一种装置,用以于该靶材及该基板间之该空间内产生溅散气体之电浆,并用以于该电浆内产生离子以撞击靶材,以自该处逐出被覆材料,以使其在该基板上成长;一种视准仪,置于该室内之该电浆空间及该基板之间,该视准仪包括一种网状结构,具体地占据该靶材及该基板之间的空间,该网状结构具有穿透之开口,且其尺寸为可限制材料自该靶材溅散穿过该类开口及至该基板上之成长路径;气体分散通道,为视准仪所具有,位于由网状结构物理性占据之该空间内,或位于该溅散材料之该成长路径之外,该通道包括分散在该视准仪上之导出口,用以自朝向该基板之该通道放出气体;以及一种装置,用以供应一种反应气体至该类通道,该反应气体系自此分散经过该类导出口,并至该基板之该表面上。2.根据申请专利范围第1项之仪器,其中:该类通道系形成于该视准仪之该网状结构中。3.根据申请专利范围第1项之仪器,其中:该类导出口系放置并设定大小成可影响供应加工气体在该基板之表面上之该分散。4.根据申请专利范围第3项之仪器,其中:该基板固定装置及靶材支撑装置为圆型,并排列于其中心线上;该视准仪之该网状结构包括至少一个中央叶片大约直径向地延伸通过一条中心线;以及该类导出口包括沿该基板固定装置之中心线附件之中央叶片分散之导出口。5.根据申请专利范围第4项之仪器,其中:该视准仪之该网状结构包括两个互相垂直之叶片,大约直径向地延伸通过一条中心线;以及该类导出口包括沿该基板固定装置之中心线附近之中央叶片分散之导出口。6.一种溅散仪器,包含:一个真空溅散被覆室;一种装置,用以于该室内固定一个基板;一种装置,用以于该真空室内支撑一个溅散靶材,其溅散表面朝着固定在该固定装置上之基板;一种装置,用以于该靶材及该基板间之空间内产生电浆,并用以于该电浆内产生离子撞击靶材,以逐出被覆材料于该基板上成长;一种视准仪,置于该室内该电浆及该基板之间,该视准仪包括一种网状结构物理性地占据该靶材及该基板间之空间,该网状结构具有穿透之开口,且其尺寸可限制材料自该靶材经过该类开口溅散至该基板上之成长路径;气体分散通道,为该视准仪所具有,位于由该网状结构物理性地占据之该空间内,或者于该溅散材料之该成长路径之外,该类通道包括分散在该视准仪上之导出口,用以将气体自通道朝向该基板放出;以及一种装置,用以供应加工气体至该类通道。7.根据申请专利范围第6项之仪器,其中:该类通道系形成于该视准仪之该网状结构中。8.根据申请专利范围第6项之仪器,其中:该类导出口系放置并设定大小成可影响供应加工气体在该基板之该表面上之该分散。9.根据申请专利范围第8项之仪器,其中:该基板固定装置及靶材支撑装置为圆型,并排列于其中心线上;该视准仪之该网状结构包括至少一个中央叶片,大约直径向地延伸通过一条中心线;以及该类导出口包括沿该基板之中心线附近之中央叶片分散之导出口。10.根据申请专利范围第9项之仪器,其中:该视准仪包括两个互相垂直中央叶片,大约直径向地延伸通过一条中心线;以及该类导出口包括沿该基板之中心线附近之两中央叶片分散之导出口。11.一种方法,将一种膜反应性溅散被覆至一种半导体晶圆之三度空间特征上,该晶圆具有中央区域及外围缘,该方法包含下列步骤:将阶梯化半导体晶圆支撑于一个真空溅散被覆室中;于该真空室中支撑一个溅散靶材,其溅散表面朝着该晶圆;以溅散气体填充该室至某一个真空压力大小;于该靶材及该晶圆间之该空间内产生该溅散气体之电浆,并以来自该电浆之离子撞击该靶材,以自其上溅散得被覆材料于该晶圆上成长;于该室中该电浆及该晶圆之间放置一个视准仪,该视准仪包括栅状叶片,具有于该靶材至该晶圆方向上延伸之宽度,以限制已溅散材料在该晶圆上之成长路径;以及经由该类叶片内之通道供应反应性气体,并于该晶圆之外围缘之内部区域内自该类通道放出该反应性气体。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中:该反应性气体供应步骤包括于该晶圆之该中央区域自该类通道放出该反应性气体之该步骤。13.根据申请专利范围第11项之方法,其中:该反应性气体供应步骤包括于该晶圆之该中央区域自该类通道放出该反应气体,于朝向该晶圆而且通常与之垂直之方向,之该步骤。14.根据申请专利范围第11项之方法,用以于一个半导体晶圆之三度空间特征上被覆氮化钛膜,其中:该靶材支撑步骤包括于该室中支撑一个钛靶材之该步骤,而且该电浆制造步骤包括制造该电浆及自其溅散钛材料以于该晶圆上成长之该步骤;该反应性气体供应步骤包括于该晶圆之该中央区域之一个区域内自该通道放出该氮气,于朝向该晶圆且通常与之垂直之方向;以及使该氮气与该已溅散钛于该晶圆之该表面上反应,以于其上产生一层氮化钛膜。图1为根据本发明原理之溅散被覆仪器的图示横截面视图。图2为图1沿直线2-2所取之图示底面视图,举例说明该仪器之视准仪部分。图3为图2之视准仪之一对叶片的透视图,具有根据本发明之一个具体实施例之气体通道。图4及5为图3沿直线4-4所取之横截面视图,举例说明图 |
