| 主权项 |
1.一种于原址均匀掺杂多晶矽层的方法,包括以下步骤:形成半导体基底层;在半导体基底层上沈层第一掺杂多晶矽层;在第一掺杂多晶矽层上沈层未掺杂多晶矽层;在未掺杂多晶矽层上沈淀第二掺杂多晶矽层;将多晶矽层退火,使得该第一和第二多晶矽层内的掺杂剂在整个多晶矽层扩散,形成均匀掺杂层。2.如申请专利范围第1项的方法,另包括以下步骤:重复未掺杂多晶矽层和掺杂多晶矽层的交替沈淀,得到均匀掺杂层的所需厚度。3.如申请专利范围第1项的方法,其中掺杂剂是砷。4.如申请专利范围第1项的方法,另包括以下步骤:在半导体基底层上沈淀氧化物层,从半导体基底层分离均匀掺杂层。5.一种于原址产生半导体装置之均匀掺杂多晶矽层的方法,包括以下步骤:将半导体基底层置于处理室内;将矽气体和掺杂剂引入处理室,矽气体沈淀在半导体基底层上成为非晶矽,掺杂剂扩散进入非晶矽而成第一掺杂层;抽空处理室的矽气体和掺杂剂,容许掺杂剂释出;回填处理室至沈淀压力;将矽气体引入处理室,矽气体沈淀在第一掺杂层上而形成非晶矽的未掺杂层,掺杂剂持续重新分配并扩散进入未掺杂层;引入具有矽气体的掺杂剂,矽气体沈淀在未掺杂层上成为非晶矽,掺杂剂扩散进入非晶矽而形成第二掺杂层,掺杂剂持续重新分配并在第一掺杂层、第二掺杂层、未掺杂层扩散,直到发展成单一掺杂层。6.如申请专利范围第5项的方法,另包括以下步骤:将单一掺杂层退火,在整个单一掺杂层均匀重新分配掺杂剂,产生单一均匀掺杂层。7.如申请专利范围第5项的方法,另包括以下步骤:重复交替未掺杂层和掺杂层的沈淀,得到单一掺杂层的所需要厚度。8.如申请专利范围第5项的方法,其中掺杂剂是砷。9.如申请专利范围第5项的方法,另包括以下步骤:在半导体基底层上沈淀氧化物层,从半导体基底层分离单一掺杂层。10.一种半导体装置,包括:从交替掺杂和未掺杂多晶矽层在沈淀时所形成之无分别的均匀掺杂多晶矽层,其中该交替掺杂和未掺杂多晶矽层退火而在所有层新分配掺杂剂,以形成该无分别的均匀掺杂多晶矽层。11.如申请专利范围第10项的半导体装置,其中该掺杂剂是砷。图1显示均匀掺杂多晶矽层的沈淀过程;图2显示得自均匀掺杂过程的所得形式;图3显示在均匀掺杂结构 |
