| 主权项 |
1.一种被覆膜形成装置,其特征在:于真空槽(51)内,设:连接于偏压电源(15)之基材(14);为于该基材(14)上形成陶瓷被覆膜而利用空心阴极放电电子枪(21)使蒸发原料蒸发的第1蒸发源(22);反应气体之导入口(44);以及为前述空心阴极放电电子枪(21)所辅助而使金属被覆膜形成于前述陶瓷被覆膜之上而用之以电阻加热方式使蒸发原料蒸发之第2蒸发源(32)而成者。2.一种被覆膜形成方法,其特征在:于真空槽(51)内,对连接于偏压电源(15)之基材(14),在反应气体之共存下利用空心阴极放电电子枪(21)使当作第1蒸发源之蒸发原料之Ti,Cr,Zr,Hf中之任一种蒸发而形成由氮化物,氧化物,碳化物,硼化物或这些化合物复合物而成之陶瓷被覆膜;其次停止述反应气体,利用电阻加热方式一面使当作第2蒸发源(32)之蒸发原料之Au,Ag,Pt,Pd,Rh,Ni,Cr,Al,Cu之单体或这些元素之2-3种所成之合金蒸发,而一面经由来自前述空心阴极放电电子枪(21)之电浆使前述第2蒸发源(32)之蒸发原料之蒸发离子化,于前述陶瓷被覆膜之上形成金属被覆膜而成者。3.如申请专利范围第2项所述之被覆膜形成方法,其中前述第2蒸发源(32)之蒸发原料之蒸气离子化时之前述空心阴极放电电子枪(21)之输出电力为使前述第1蒸发源(22)之蒸发原料不致蒸发之水准之输出电力。4.一种被覆膜形成方法,其特征在:于真空槽(51)内,对连接至偏压电源(15)之基材(14),在反应气体之共存下利用空心阴极放电电子枪(21)使当作第1蒸发源之蒸发原料之Ti,Cr,Zr,Hf中之任一种蒸发而形成由氮化物,氧化物,碳化物,硼化物或这些化合物之复合物而成之陶瓷被覆膜,其次停止上述反应气体,一面使来自前述第1蒸发源(22)继续蒸发,一面利用电阻加热方式使当作第2蒸发源(32)之蒸发原料之Au,Ag,Pt,Pd,Rh,Ni,Cr,Al,Cu之单体或这些元素之2-3种所成之合金蒸发,并经由来自前述空心阴极放电电子枪(21)之电浆使前述第2蒸发源(32)之蒸气离子化,而于前述陶瓷被覆膜之上形成前述第1蒸发源(22)之蒸发材料与前述第2蒸发源之蒸发材料之混合被覆膜,进一步仅使来自第2蒸发源之蒸发原料之蒸发与前述离子化继续,于前述混合被覆膜上形成金属被覆膜而成者。5.如申请专利范围第4项所述之被覆膜形成方法,其中前述金属被覆膜形成时,于前述离子化之前述空心阴极放电电子枪(21)之输出电力为使前述第1蒸发源(22)之蒸发原料不致蒸发之水准之输出电力。图1为本发明之实施例之被覆膜形成装置之概略截面图。图2为该装置之概略截面图,表示电阻加热用开闭器呈开启时之状况。图3为作为第1习知例之被覆膜形成装置之概略截面图。图4为作为 |
