使用铝–锗合金填充通孔及接触点

摘要

以铝填充次微米通孔之多步骤法包括：于约 150℃温度下喷镀沈积约 1000埃之铝初沈积层。接着于 150℃或更低温度下，再沈积一层约 1000埃之铝锗合金。于约 150℃之温度下沈积第三层不含锗之铝。其沈积约 1000埃。接着于450℃至500℃下进行铝之最后沈积，而总共沈积 5000至15,000埃之铝。铝于 150℃之相当低温下两次沈积可避免锗之沈淀，且亦可使锗扩散进入各层中而增加由沈积金属之总熔化温度，使得于随后之较高处理温度下，金属不会不外向弄湿通孔表面。

主权项

1.一种于半导体底材中填充通孔之方法,包含:在低于150℃温度下喷镀沈积非 之含铝第一层于含该通孔之底材上;在低于150℃温度下喷镀沈积一层铝- 合金;喷镀沈积非 之含铝第二层,其中该第二层约1000埃厚,且在低于或等于150℃下沈积;在400至500℃之温度下沈积非 之含铝第二层于该底材上,其中所有该等层之总厚度为约50000至约15,000埃。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该含 之合金包含1至约5%之 。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该铝- 合金系使用10-15仟瓦之外加动力,于低于150℃之温度下沈积者。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第一层为约1000埃厚。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中该铝之初步沈积经由准直器进行。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该铝- 合金之沈积经由准直器进行。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该第三层沈积1