| 主权项 |
1.一种制造积层晶片磁珠之方法,包括下列步骤:a.制备NiCuZn铁氧磁体生胚片;b.于该生胚片上排放金属线;c.于该细线上覆盖数层生胚片,热压成积层,并切割之;及d.将该切割之磁珠烧结之,即得积层晶片磁珠。2.如申请专利范围1之方法,其中该NiCuZn铁氧磁体之制备包括将适当比例之氧化铁(FeC_2COC_3C或FeC_3COC_4C)、氧化镍(NiO)、氧化铜(CuO)及氧化锌(ZnO)粉末混合后,约以750℃烧约2小时、球磨后乾燥之,再加入树脂、分散剂及塑化剂制成浆料。3.如申请专利范围2之方法,其中铁氧磁体粉末之成份比例为:FeC_2COC_3C(或FeC_ 3COC_4C),40-55mol,-,-,-mol。4.如申请专利范围1所述之方法,其中之生胚片系以刮刀成形法制成。5.如申请专利范围1之方法,其中之金属线之材质可为银、钯、金、铂、铜,或此等金属之合金,亦可为表面镀银之铜线。6.如申请专利范围1之方法,其中之金属线之断面可为圆形、中空圆形、方形或扁平形。7.如申请专利范围1之方法,其中磁珠之烧结温度为800℃-1,300℃。8.如申请专利范围1之方法,其中该金属细线系平行排放于该生胚片上。9.如申请专利范围1之方法,其中于该细线上覆盖一片生胚片或数片生胚片。图1示于铁氧磁体粉末制成之生胚片上拉置排放多数平行金属线。图2示于金属线上覆盖另一生胚片,形成一叠层。图3示将一生胚片叠层切割成多数 |
