| 摘要 |
저항성 메모리 셀(140), 예를 들면 CBRAM 또는 ReRAM을 형성하는 방법은: 하부 전극 층(102A)을 형성하는 것; 하부 전극의 노출된 영역의 산화물 영역(110)을 형성하는 것; 뾰족한 팁 또는 에지 영역(114A, 114B)을 갖는 하부 전극을 형성하기 위해 상기 산화물 영역에 인접한 상기 하부 전극 층의 영역을 제거하는 것; 그리고 별개의 제 1 및 제 2 메모리 소자들을 정의하기 위해 상기 하부 전극 위에 제 1 및 제 2 전해질 영역들(120A, 120B)과 제 1 및 제 2 상부 전극들(122A, 122B)을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 1 메모리 소자는 상기 제 1 전해질 영역을 통해 상기 하부 전극의 뾰족한 팁 영역의 제 1 부분으로부터 상기 제 1 상부 전극까지의 제 1 전도성 필라멘트/베이컨시 체인 경로를 정의하고, 제 2 메모리 소자는 상기 제 2 전해질 영역을 통해 상기 하부 전극의 뾰족한 팁 영역의 제 2 부분으로부터 상기 제 2 상부 전극까지의 제 2 전도성 필라멘트/베이컨시 체인 경로를 정의한다. |
