| 主权项 |
1.一种穿透氧化层的制造方法,适用于一半导体基板上制造一穿透氧化层,该穿透氧化层的制造方法包括下列步骤:形成一氧化层于该半导体基板上;形成一非晶矽层于该氧化层上;以及氧化该非晶矽层,并合该氧化层即为该穿透氧化层。2.一种电性抹除再规划唯读记忆体结构,系利用申请专利范围第1项所述之该穿透氧化层的制造方法制造一记忆单元之穿透氧化层,该记忆单元包括:一记忆单元本体,具有一汲极区、一源极区以及一介于该源极区及该汲极区之间的通道区,另外,一淡掺植区设置于该源极区和该通道区间,并与该源极区紧邻的区域上;一闸极叠层,设置于该通道区上,该闸极叠层由下而上依序具有一穿透氧化层、一浮接闸极、一复晶矽间介电层以及一控制闸极。3.如申请专利范围第1项所述之该穿透氧化层的制造方法,其中,氧化该非晶矽层的步骤是完成氧化。4.如申请专利范围第1项所述之该穿透氧化层的制造方法,其中,氧化该非晶矽层的步骤是部份氧化。5.如申请专利范围第3或4项所述之该穿透氧化层的制造方法,其中,该氧化层是以温度800℃的乾氧法形成,厚度介于90至之间。6.如申请专利范围第5项所述之该穿透氧化层的制造方法,其中,该非晶矽层是以温度550的低压化学氧相沈积法形成,厚度介于至之间。7.如申请专利范围第6项所述之该穿透氧化层的制造方法,其中,氧化该非晶矽层是以温度900℃的乾氧法行之。第1图系显示电性抹除再规划唯读记忆单元的结构剖面图;第2图系显示本发明之穿透氧化层的制造方法流程剖面图;以及第3图系显示习知和本发明之穿透氧化层的制造方法分别应用于电性抹除再规划唯读记忆单元的控制闸极 |
