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发明名称 FLASH ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号 KR950006211(B1) 申请公布日期 1995.06.12
申请号 KR19910003747 申请日期 1991.03.08
申请人 MITSUBISHI DENKI CORP. 发明人 NAKAYAMA, DAKESHI;DERADA, YASUSHI;GOBAYASHI, KAZUO;HAYASHIGOSHI, MASANORI;MIYAWAKI, YOSHIGASU
分类号 G11C17/00;G11C16/02;G11C16/16;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):G11C16/00 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
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