| 主权项 |
1.一种形成一积体电路闸极之方法,包括:形成一闸极之闸氧化矽层;提供一遮罩,以覆盖积体电路之不需要临界电压离子布植的所有区域上;临界电压离子布植之离子柿植通过该闸氧化矽层而进入至该等未被遮罩覆盖之区域内;清洁该闸氧化矽层,以改善该闸氧化矽层之电性崩溃及充电崩溃特性至该遮罩及该离子植入以前之状态下,清洁之步骤为:对该闸氧化矽层处理,以一氨水与双氧水溶液,氨水、双氧水及水份之浓度比例(0.4-1):1:5.5,及在一约60-80℃之温度下进行3-7分钟,及令该闸氧化矽层在一二氯乙烯及过量氧气之环境下,以约在775-875℃之温度进行约5-25分钟之处理;及沈积一复晶矽层覆盖在该闸氧化矽层及图形化定义该复晶矽层以形成该闸极。2.一种形成一EPROM装置积体电路之周边装置闸极之方法,包括:形成一周边装置闸极之闸氧化矽层;提供一遮罩,以覆盖在该EPROM积体电路,包含此EPROM装置本身不需要一临界电压离子布植之所有区域上;临界电压离子布植之离子布植通过该闸氧化矽层而进入至该等未被遮罩覆盖之区域内;去除该遮罩;清洁该闸氧化矽层,以改善该闸氧化矽层之电性崩溃及充电崩溃特性至该遮罩及该离子植入以前之状态下,清洁之步骤为:A)对该闸氧化矽层处理,以一氨水与双氧水溶液,氨水、双氧水及水份之浓度比例为(0.4-1):1:5.5,及在一约60-80℃之温度下进行3-7分钟,及B)令该闸氧化矽层在一二氯乙烯及过量氧气之环境下,以约在775-875℃之温度进行约5-25分钟之处理;及沈积一复晶矽层覆盖在该闸氧化矽层及图形化定义该复晶矽层以形成该周边闸极。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该临界电压离子布植包括:BF2为在剂量约在7x1011-1.2x1012原子/cm2及能量约在40-60kev进行布植者。4.一种形成一EEPROM装置积体电路之一闸极之方法,包括:形成一该闸极之闸氧化矽层;提供一遮罩,以覆盖在该EPROM积体电路之除了平坦之隧道氧化层区域以外的所有区域;以一植入之氧化离子布植通过该未被该遮罩覆盖之闸氧化矽层而进入至半导体基底内,以形成一位在该平坦隧道氧化层下方之布植区域;去除该遮罩;清洁该闸氧化矽层,以改善该闸氧化矽层之电性崩溃及充电崩溃特性至该遮罩及该离子植入以前之状态下,清洁之步骤为:A)对该闸化矽层处理,以一氨水与双氧水溶液,氨水、双氧水及水份之浓度比例为和(0.4-1:1:5.5,及在一约60-80℃之温度下进行3-7分钟,及B)令该闸氧化矽层在一二氯乙烯及过量氧气之环境下,以约在775-875℃之温度进行约5-25分钟之处理;及在该半导体基底之表面上成长一隧道氧化层,而覆盖该布植区域;沈积一复晶矽层覆盖该闸氧化矽层及该隧道氧化层上方,及对该复晶矽层图形 |
