| 主权项 |
1.一种具有全重叠淡掺植汲极结构之MOS电晶体的制造方法,适用于形成有场区氧化物以界定元件区的第一型半导体基板制作MOS电晶体,而上述具有全重叠淡掺植汲极结构之MOS电晶体的制造方法包括下列步骤:以上述场区氧化物为罩幕,掺植第二型杂质至上述第一型半导体基板的元件区,而形成第二型淡掺植区;于上述半导体基板上形成遮蔽物,且上述遮蔽物形成有开口,而上述开口具有二侧边,以界定上述MOS电晶体的通道区;于上述开口内的半导体基板上形成闸极绝缘物;于上述开口的侧边形成导电边墙间隔物;以上述遮蔽物及导电边墙间隔物为罩幕,掺植第一型杂质至上述第二型淡掺植区,而形成上述MOS电晶体的第一型通道区;于上述闸极绝缘物上而于上述导电边墙间隔物之间形成导电层,同时上述导电层与导电边墙间隔物构成上述MOS电晶体的闸极;去除上述遮蔽物;以及以上述闸极及场区氧化物为罩幕,掺植第二型杂质至上述第一型半导体基板,而形成第二型浓掺植区,且使上述第二型淡掺植区完全位于上述闸极下,进而成为上述MOS电晶体的汲极区和源极区。2.如申请专利范围第1项所述之具有全重叠淡掺植汲极结构之MOS电晶体的制造方法方法,其中,在形成上述第一型通道区之步骤中,亦以上述遮蔽物及导电边墙间隔物为罩幕,掺植第一型杂质至上述第一型半导体基体,而形成防止通道穿透掺植区。3.如申请专利范围第2项所述之具有全重叠淡掺植汲极结构之MOS电晶体的制造方法,其中,上述遮蔽物为氮化物,且上述闸极绝缘物为氧化物。4.如申请专利范围第3项所述之具有全重叠淡掺植汲极结构之MOS电晶体的制造方法,其中,上述导电层及导电边墙间隔物为复晶矽。5.如申请专利范围第4项所述之具有全重叠淡掺植汲极结构之MOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为P型,而上述第二型为N型。6.如申请专利范围第4项所述之具有全重叠淡掺植汲极结构之MOS电晶体的制造方法,其中,上述第一型为N型,而上述第二型为P型。图示简单说明:第1图系显示用以说明习知具有淡掺植汲极之MOS电晶体的制造方法的剖面图;以及第2图系显示用以说明本发明之具有全重叠淡掺植汲极结 |
