| 主权项 |
1.一种使入射辐射光束图样化的主光罩,包含:一具有基本厚度及包含一主光罩图样的基层;及一组强化短柱,连结于此基层第一面上以分离此基层为一组不相邻子区域,其特征在于;此图样为一组在此基层之元件携带;且这些元件若位于一子区域边界重叠距离内,则由一可在这些元件正确排列时提供正确曝光的辐射调整图样加以图样化。2.根据申请专利范围第1项的主光罩,进一步之特征为:该元件包括辐射阻碍区及允许辐射无阻碍通过的孔径。3.根据申请专利范围第1项之主光罩,进一步之特征为:该元件包括具第一级阻抗辐射的辐射阻碍区及一组允许辐射较不受阻通过的通道区。4.根据申请专利范围第1项之主光罩,进一步之特征为:该元件包括具有第一级辐射阻抗的辐射阻碍区及一组容许辐射无阻通过的孔径。5.根据申请专利范围第2项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组具实质相同区域的孔径。6.根据申请专利范围第2项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中此辐射阻碍区有实质上大于此孔径组的区域。7.根据申请专利范围第6项之主光罩,进一步之特征为:在一相邻子区域之一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中该辐射阻碍区有实质大于该孔径组的区域,而且其中互补图样的辐射阻碍区配置成使得由此辐射调整图样而来的此孔径组的影像与由此互补辐射调整图样而来的此辐射阻碍区的影像相互对齐。8.根据申请专利范围第3项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组有实质相等面积之通道区。9.根据申请专利范围第3项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组通道区,其中该等辐射阻碍区有实质大于该组通道区阻的区域。10.根据申请专利范围第9项之主光罩,进一步之特征为:在一相邻子区域中之一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组通道区,其中此辐射阻碍区具实质大于此一组通道区的区域且其中辐射阻碍区互补图样被配置成使得由此辐射调整图样来的此一组通道区影像与由此互补辐射调整图样来的辐射阻碍区影像相互对齐。11.根据申请专利范围第4项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区域及一组具实质相等面积的孔径。12.根据申请专利范围第4项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中该等辐射阻碍区有实质大于此一组孔径的面积。13.根据申请专利范围第4项之主光罩,进一步之特征为:一相邻子区域中的一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中此辐射阻碍区有实质上大于这组孔径的区域,以及其互补图样的辐射阻碍区被配置成使得由此辐射调整图样之此一组孔径影像与由此互补辐射调整图样之辐射阻碍区影像相互对齐。14.根据申请专利范围第3项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一实质上涵盖该重叠区之均匀的部份可透光通道区。15.一种用来将一入射辐射光束图样化的主光罩,包含:一具有基本厚度并包含一具有一组子区域之主光罩图样之基层,其特征为:该图样由一组在该基层之元件所携带;且这些元件若位于一子区域边界重叠距离内,则由一可在这些元件正确排列时提供正确曝光的辐射调整图样加以图样化。16.根据申请专利范围第15项之主光罩,进一步之特征为:该等元件包括辐射阻碍区及允许成为辐射无阻碍通道的孔径。17.根据申请专利范围第15项之主光罩,进一步之特征为:该等元件包括具第一级阻抗辐射的辐射阻碍区及一组允许辐射较不受阻通过的通道区域。18.根据申请专利范围第15项之主光罩,进一步之特征为:该等元件包括具有第一级阻抗辐射的辐射阻碍区及一组容许辐射无阻通过的孔径。19.根据申请专利范围第16项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组具实质上相同面积的孔径。20.根据申请专利范围第16项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中此辐射阻碍区有实质上大于此组孔径的区域。21.根据申请专利范围第20项之主光罩,进一步之特征为:一相邻子区域一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中该辐射阻碍区有实质上大于该组孔径的区域,且其中互补图样的辐射阻碍区配置成使得由此辐射调整图样而来的孔径组的影像与由此互补辐射调整图样而来的辐射阻碍区相互对齐。22.根据申请专利范围第17项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组有实质上相等面积之通道区。23.根据申请专利范围第17项之主光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组通道区在其中辐射阻碍区有实质大于该组通道区的面积。24.根据申请专利范围第23项之光罩,进一步之特征为:一相邻子区域中之一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组通道区,其中此辐射阻碍区具实质上大于此一组通道区的面积,且其中互补图样的辐射阻碍区被配置成使得由此辐射调整图样来的此一组道路区影像与由此互补辐射调整图样来的辐射阻碍区影像相互对齐。25.根据申请专利范围第18项之光罩,进一步之特征为:辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区域及一组具实质上相等面积的孔径。26.根据申请专利范围第18项之光罩,进一步之特征为:辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中此辐射阻碍区有实质上大于此一组孔径的面积。27.根据申请专利范围第17项之光罩,进一步之特征为:在一相邻子区域中的一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中此辐射阻碍区有实质上大于这组孔径的面积及其中互补图样的辐射阻碍区被配置成使得由此辐射调整图样之此一组孔径影像与由此互补辐射调整图样之此辐射阻碍区影像相互对齐。28.根据申请专利范围第17项之光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一均匀的部份可透光通道区,其实质上涵盖该重叠区。29.一种使入射辐射光束图样化的光罩,包含:一具有基本厚度及包含一具有一组不相连子区域光罩图样的基层;及此图样为一组在此基层之元件携带;且这些元件若位于一子区域边界重叠距离内时,则由一可在这些元件正确排列时提供正确曝光的辐射调整图样加以图样化。30.根据申请专利范围第29项的光罩,进一步之特征为:该元件包括辐射一阻碍区及允许成为辐射无阻碍通道的孔径。31.根据申请专利范围第29项之光罩,进一步之特征为:该元件包括具第一级阻抗辐射的辐射阻碍区及一组允许辐射较不受阻的通过的通道区。32.根据申请专利范围第29项之光罩,进一步之特征为:该元件包括具有第一级阻抗辐射的辐射阻碍区及一组容许辐射无阻通过的孔径。33.根据申请专利范围第30项之光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组具实质相同区域的孔径为特性。34.根据申请专利范围第30项之光罩,更进一步以所述辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中该辐射阻碍区有实际上大于此孔径组的面积。35.根据申请专利范围第34项之光罩,进一步之特征为:在一相邻子区域有一互补元件,其有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中该辐射阻碍区有实质上大于该孔径组的面积,且其中互补图样的辐射阻碍区被配置成使得由此辐射调整图样而来的此孔径组的影像与由此互补辐射调整图样而来的此辐射阻碍区相互对齐。36.根据申请专利范围第31项之光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组有实质上相等面积之通道区。37.根据申请专利范围第31项之光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组通道区,其中该辐射阻碍区有实质上大于此通道区的面积。38.根据申请专利范围第37项之光罩,进一步之特征为:在一相邻子区域中之一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组通道区,其中该辐射阻碍区具有实质上大于此一组通道区的区域,且其中互补图样的辐射阻碍区被配置成使得由此辐射调整图样来的组通道区影像与由此互补辐射调整图样来的此辐射阻碍区影像相互对齐。39.根据申请专利范围第32项之光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区域及一组具有实质上相等面积的孔径。40.根据申请专利范围第32项之光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中该等辐射阻碍区有实质上大于此一组孔径的面积。41.根据申请专利范围第32项之光罩,进一步之特征为:在一相邻子区域中的一互补元件有一互补辐射调整图样,该图样包含一组交替式辐射阻碍区及一组孔径,其中该辐射阻碍区有实质上大于这组孔径的面积及其中互补图样的辐射阻碍区被配置成使得由此辐射调整图样之该组孔径影像与由该互补辐射调整图样之辐射阻碍区影像相互对齐。42.根据申请专利范围第31项之光罩,进一步之特征为:该辐射调整图样包含一均匀的部份可透光通道区,其实质上涵盖此重叠区。图示简单说明:图1以部份图画,部份图解方式说明一个用于本发明的电子束系统。图2说明一个片上变形的相连子区域例子的放大图。图3,4及5说明本发明应用的细节。 |
