| 主权项 |
1.一种热处理非晶质软磁材料成品的方法,包括下列步骤:(a)对该非晶质软磁材料成品以一低于其居里温度50℃以内的第一温度进行热处理0-10小时,同时在一垂直于该非晶质软磁材料成品磁化方向的第一方向上提供一大于1000Oe的稳定磁场;(b)将该第一温度以低于20℃/分钟的降温速率降至室温;(c)对该非晶质软磁材枓成品以一低于其结晶温度100℃以内的第二温度进行热处理0-10小时,同时在该第一方向上提供一介于50 Oe和1000 Oe的稳定磁场;以及(d)将该第二温度降至室温。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该非晶质软磁材料成品是由一铁基非晶质合金所制。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该非晶质软磁材料成品是由一镍基非晶质合金所制。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该非晶质软磁材料成品是由一钴基非晶质合金所制。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该钴基非晶质合金具有Co@ss7@ss0Fe@ss4@ss0Ni@ss2Si@ss1@ss3B@ss1@ss1的成份。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该铁基非晶质合金具有Fe@ss7@ss8 B@ss1@ss3 Si@ss9的成份。7.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(g)中,降低该第二温度的速率低于200℃/分钟。8.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)及步骤(d)中所用的磁场是直流电流磁场。9.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)及步骤(d)中所用的磁场是交流电流磁场。10.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(a)及步骤(d)中所用的磁场是由一赫姆霍兹线圈所产生的。图示简单说明:第1图系显示一非晶质软磁材料热处理接近居里温度时,磁化强度趋近于零的图式;第2图系第一实施例所用之环状铁心的立体图;第3图系第一实施例所用之横向磁场产生装置的配置视图;第4图系一使用螺线管之横向磁场产生装置的另一配置视图;以及第5图系一具有复数个赫姆霍兹线圈之横向磁场产生装置 |
