快闪记忆单元的构造及其制造方法

摘要

一种快闪记忆单元的构造包括：一第一型半导体基板，具第二型掺植的源极区和汲极区，且于上述源极区和汲极区之间形成有通道区；一漂浮闸极，绝缘地形成于靠上述汲极区侧的上述通道区上；一导电边墙间隔物，绝缘地形成于上述漂浮闸极侧边之靠上述源极区侧的通道区上；以及一控制闸极，绝缘地形成于上述漂浮闸极及导电边墙间隔物上。以及上述快闪记忆单元的制造方法。