快闪EEPROM记忆体的制造方法

摘要

一种快闪EEPROM记忆体的制造方法包括下列步骤：于第一型半导体基板上形成遮蔽物，以界定出上述快闪EEPROM记忆体的位元线；以上述遮蔽物为罩幕施行氧化，而于上述半导体基板上形成场区氧化物；以上述场区氧化物为罩幕，经由上述遮蔽物而将第二型杂质植入至上述第一型半导体基板，而形成上述位元线；以上述遮蔽物为罩幕，去除上述场区氧化物，而保留位于上述遮蔽物下的场区氧化物，进而形成通达上述半导体基板的凹槽，去除上述遮蔽物；施行氧化，而于上述凹槽内的半导体基板上形成隧穿氧化物，同时于上述位元线上形成隔离氧化物；于上述隧穿氧化物及场区氧化物上形成漂浮闸极；于上述漂浮闸极上形成闸间介电层；以及于上述闸间介电层上形成控制闸极，以当作字元线。