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发明名称
Verfahren zur Bildung eines Metalldrahtes für eine Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号
DE19505077(A1)
申请公布日期
1995.10.12
申请号
DE1995105077
申请日期
1995.02.15
申请人
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD., ICHON, KYOUNGKI, KR
发明人
CHOI, YANG KYU, SEOUL/SOUL, KR
分类号
H01L21/3213;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/528;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/311;H01L21/321
主分类号
H01L21/3213
代理机构
代理人
主权项
地址
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