| 主权项 |
1.一种延迟雷管,包含:接收由一爆炸单元而来之电能的第一与第二输入端子;整流电路,其输入至少与第一和第二输入端子之一连接;与整流电路之输出连接的能量储存电路;用以输出振荡脉冲的振荡电路,此振荡电路依据能量储存电路中的储存能量来操作,且具有第一变迁振荡状态(此状态中振荡脉冲在振荡电路开始操作后立刻输出)以及第二稳定振荡状态;致能讯号产生电路,用以侦测爆炸单元开始供应电能后的经过时间,而产生致能讯号;振荡状态切换电路,回应于致能讯号而从第一振荡状态切换至第二振荡状态;触发讯号产生电路,回应于计数到预定数目之上述振荡脉冲,而产生触发讯号;以及放电电路,回应于触发讯号而释放所储存的电能。2.如申请专利范围第1项之电子延迟雷管,其进一步包含一个跨接第一与第二端子的旁通电路。3.如申请专利范围第2项之电子延迟雷管,其中该旁通电路包含一个非线性电阻。4.如申请专利范围第1项之电子延迟雷管,其中所述振荡电路为固态振荡电路,包含有一个反相放大器,该反相放大器包括一个具有固态振荡元件及负载电容器的反馈电路,该负载电容器的电容随振荡状态切换电路控制改变。5.如申请专利范围第1项之电子延迟雷管,其中所述振荡电路为固态振荡电路,包含有一个反相放大器,该反相放大器包括一个具有固态振荡元件及负载电容器的反馈电路,该负载电容器的电容随振荡状态切换电路控制改变;且其中所述触发讯号产生电路包含:一个用以计数振荡脉冲的计数电路,以及一个重设电路,此重设电路于开始供应电能时将计数电路保持于重设状态,并回应于致能讯号而使计数电路由重设状态中释放。6.如申请专利范围第1项之电子延迟雷管,其中所述振荡电路包含:一个固态振荡电路;及一个以串接方式与固态振荡电路连接,以输出脉冲的CR振荡电路,CR振荡电路的操作回应于振荡状态切换电路而停止。7.如申请专利范围第1项之电子延迟雷管,其中所述振荡电路为固态振荡电路,包含有一个反相放大器,该反相放大器包括一个具有固态振荡元件及电容器的反馈电路;且供应给固态振荡电路的电源电压回应于振荡状态切换电路而切换至低电压。8.如申请专利范围第1项之电子延迟雷管,其中所述振荡电路包含:一个反相放大器,该反相放大器包括一个具有固态振荡元件和电容器的反馈电路;以及回应于振荡状态切换电路而将供应给固态振荡电路的电源电压切换至低电压的电路;且其中触发讯号产生电路包含:一个用以计数振荡脉冲的计数电路,以及一个重设电路,此重设电路于开始供应电能时将计数电路保持于重设状态,并回应于致能讯号而使计数电路由重设状态中释放。9.如申请专利范围第4项之电子延迟雷管,其中所述固态振荡电路包含:包括CMOS电晶体的前述反相放大器;以及用以限制供应给CMOS电晶体之电流的电流限制元件。10.如申请专利范围第5项之电子延迟雷管,其中所述固态振荡电路包含:包括CMOS电晶体的前述反相放大器;以及用以限制供应给CMOS电晶体之电流的电流限制元件。11.如申请专利范围第6项之电子延迟雷管,其中所述固态振荡电路包含:包括CMOS电晶体的前述反相放大器;以及用以限制供应给CMOS电晶体之电流的电流限制元件。12.如申请专利范围第7项之电子延迟雷管,其中所述固态振荡电路包含:包括CMOS电晶体的前述反相放大器;以及用以限制供应给CMOS电晶体之电流的电流限制元件。13.如申请专利范围第8项之电子延迟雷管,其中所述固态振荡电路包含:包括CMOS电晶体的前述反相放大器;以及用以限制供应给CMOS电晶体之电流的电流限制元件。图示简单说明:图1为习知电子延迟雷管一例的方块图;图2为习知例之操作时间图;图3为方块图,示出本发明第一实施例;图4为第一实施例操作的时间图;图5为本发明第二实施例的方块图;图6为第二实施例操作的时间图;图7为本发明第三实施例的方块图;图8为第三实施例操作的时间图;图9为依据本发明实施例之致能讯号产生电路的电路方块图;图10为本发明第四实施例的方块图;图11为第四实施例操作的时间图;图12为本发明第五实施例的电路图;图13(a)与(b)为本发明第六实施例之旁通电路的电路图;图14为第六实施例中之非线性元件的特性曲线;图15示出旁通电路所用之线性电阻元件;图16为本发明第七实施例之电路图;而 |
