发明名称 沈积薄膜涂层之基材之清洗装置及方法
摘要 一种方法及装置,用于清洗备作薄膜涂层之基材。本发明包括在一清洗室中在控制之条件下由一压缩气体介质输送及悬浮在其中之二氧化碳小丸之喷击清洗该基材。
申请公布号 TW265454 申请公布日期 1995.12.11
申请号 TW084105277 申请日期 1995.05.25
申请人 维拉泰克薄膜股份有限公司 发明人 大卫A.休葛兰;艾瑞克J.布乔纳德;杰弗瑞J.荷夫曼
分类号 H01J9/38 主分类号 H01J9/38
代理机构 代理人 郑自添 台北巿敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1. 一种用于准备用作薄膜涂层之基材之清洗装置,包括:一清洗室,具有一基材入及一基材出口;一输送设备,用于输送该基材经该基材入口至该清洗室之内以及用于输送该基材经该基材出口至该清洗室之外;空气进气口和排气口设备,用于维持该清洗室内之气压和气流于所要之水准;及一二氧化碳分配设备,用于分配二氧化碳小丸与该清洗室内之该基材进行清洗撞触。2. 如申请专利范围第1项之装置,其中该空气进气口和排气口设备包括一清洁空气进气口,位在接近该清洗室之顶部。3. 如申请专利范围第2项之装置,其中该空气进气口和排气口设备包括一电离真空感应器。4. 如申请专利范围第3项之装置,其中该空气进气口和排气口设备包括一排气充气间位在接近该清洗室之底部。5. 如申请专利范围第1项之装置,又包括一进入室,邻接于该基材入口。6. 如申请专利范围第5项之装置,又包括一闭合设备,位在该清洗室与进入室之间以便利该基材自该进入室输送至该清洗室之内。7. 如申请专利范围第5项之装置,又包括进入室之空气进气口及排气口设备,用于维持该进入室内之气压及气流于所要之水准。8. 如申请专利范围第1项之装置,又包括一退出室位于邻近该基材之出口。9. 如申请专利范围第8项之装置,又包括一闭合设备位于该清洗室与退出室之间以便利该基材自该清洗室输送至该退出室之内。10. 如申请专利范围第8项之装置,又包括退出室空气进气口和排气口设备,用于维持该退出室内之气压和气流于所要之水准。11. 如申请专利范围第8项之装置,又包括一薄膜涂层线,位于邻近该退出室。12. 如申请专利范围第11项之装置,又包括一闭合设备位于该退出室与该涂层线之间,以便利该基材之输送自该退出室至该涂层线上。13. 如申请专利范围第6项之装置,又包括一退出室,位于邻近该基材出口。14. 如申请专利范围第11项之装置,又包括一闭合设备位于该清洗室与退出室之间,以便利该基材之输送自该清洗室至该退出室之内。15. 如申请专利范围第1项之装置,其中该分配设备包括一分配喷嘴及该装置又包括机器人设备用以移动该分配喷嘴。16. 一种准备用作薄膜涂层之基材之清洗方法,包括之步骤为:提供一清洗室,其具有空气进气口及排气口设备,以维持在该清洗室内之气压及气流于所要之水准;输送一待清洗之基材至该清洗室内之一清洗位置;及曝露该基材至一由压缩气体介质输送及悬浮在其中之二氧化碳小丸之喷击,该二氧化碳小丸之喷击有效清洗该准备作薄膜涂层之基材。17. 如申请专利范围第16项之方法,又包括维持该清洗室内氧压对大气压力为正压力。18. 如申请专利范围第17项之方法,其中该清洗室包括一基材入口和一基材出口及其中该方法又包括提供邻近该基材入口之一进入室,其中该进入室包括一空气进气口和排气口设备以维持该进入室内之气压和气流于所要之水准。19. 如申请专利范围第18项之方法,又包括维持该进入室内之气压对大气压力为正压力并维持该清洗室内之气压对该进入室为正压力。20. 如申请专利范围第17项之方法,其中该清洗室包括一基材入口和基材出口及其中该方法又包括提供邻近该基材出口之空气退出室,其中该退出室包括一空气进气口和排气口设备,以维持该退出室内之气压和气流于所要之水准。21. 如申请专利范围第20项之方法,又包括维持该退出室内之气压对大气压力及对该清洗室为正压力。22.如申请专利范围第18项之方法,又包括提供邻近该基材出口之一退出室,其中该退出室包括一空气进气口和排气口设备,以维持该退出室内之气压和气流于所要之水准。23. 如申请专利范围第22项之方法,又包括维持该进入室之气压对大气压力为正压力,维持该清洗室内之气压对该进入室为正压力及维持该退出室内之气压对该清洗室为正压力。24. 如申请专利范围第16项之方法,其中该二氧化碳小丸之喷击是由在40至100平方英寸磅表压之喷击空气投送。25. 如申请专利范围第16项之方法,其中该空气进气口是一清洁空气进气口并提供在接近该清洗室之顶部。26. 如申请专利范围第25项之方法,其中该空气进气口包括一电离真空感应器。27. 如申请专利范围第26项之方法,其中该空气进气口又包括空气排气充气间提供在接近该清洗室之底部。28. 如申请专利范围第23项之方法,又包括提供闭合设备于该进入室与清洗室之间及该清洗室与退出室之间以选择性的互相隔离该进入,清洗和退出室及便利于基材之输送自该进入室至该清洗室及自该清洗室至该退出室。29. 如申请专利范围第16项之方法,其中该基材是一阴极射线管萤幕。30. 如申请专利范围第16项之方法,又包括维持该基材在曝露于二氧化碳小丸之喷击时在一固定位置。图示简单说明:第1图是用于本发明之方法及装置之二氧化碳小丸产生设施之示意图。第2图是本发明之装置之平面视图,显示通过清洗装置之CRT之移动。第3图是第2图中沿线3—3之前视图,显示通过清洗装置之CRT之移动。第4图是一CRT之部份放大平面视图,显示包括二氧化碳小丸及热空气之移动自分配喷嘴及与基材碰触之详细清洗作
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