| 主权项 |
1. 一种用以支持晶片之静电支持系统,包含:一支持体,可置于一处理室中,并具有一支持表面用以保持该晶片,一电压源,连接至该支持表面,用以由静电连接晶片于支持表面上,及一冷却系统,用以冷却晶片,该冷却系统包含气体物质之一来源,多个气体分布槽构制于支持表面上,且其构形在均匀分布气体物质于晶片及支持表面之间,及一导管连接气体源至气体分布槽,俾气体物质自气体源流至气体分布体。2. 如申请专利范围第1项所述之支持系统,其中,气体分布槽分割支持表面为多个区段,各区段具有大致均匀之表面积。3. 如申请专利范围第2项所述之支持系统,其中,各区段具有大致平面形之表面。4. 如申请专利范围第2项所述之支持系统,其中,区段各具有一表面积约为1.5至2.5平方寸之一表面积。5.如申请专利范围第1项所述之支持系统,其中,气体分布槽具有一深度约为0.015寸及一宽度约为0.062寸。6. 如申请专利范围第1项所述之支持系统,其中,气体分布槽具有大致曲线形之横断面形状。7. 如申请专利范围第1项所述之支持系统,其中,导管包含至少一孔延伸穿过支持表面。8. 如申请专利范围第7项所述之支持系统,其中,该支持体包含至少一升降构件可对支持表面移动于一伸出位置及一缩回位置之间,在伸出位置,升降构件伸出通过支持表面中之孔,以支持晶片于支持表面上方上,在缩回位置,升降构件缩回至支持表面下面中。9. 如申请专利范围第1项所述之支持系统,其中,支持体包含保护装置,用以防止晶片不幸脱离支持表面。10. 如申请专利范围第9项所述之支持系统,其中,导管包含一内充气空间连接至气体源,及一外充气空间连接至气体分布槽,且其中,保护装置包含用以限制气体物质在内充气空间及外充气空间之间之流量之装置。11.如申请专利范围第10项所述之支持系统,其中,该流量限制装置控制在内充气空间及外充气空间之间之气体物质之流量于一流率上,俾当晶片之一部份脱离支持表面上时,在气体分布环及内充气空间中之气体物质之压力不足以使晶片之其余部份脱离支持表面。12. 如申请专利范围第1项所述之支持系统,其中,导管包含用以限制气体分布槽及气体源之间之气体物质之流量之装置。13. 一种用以保持处理室中之晶片之静电支持系统,该室具有一室壁及一室地板,该支持系统包含:一本体部份,具有一支持表面用以保持该晶片,多支壁构件,自本体部份向外伸出,用以支持本体部份于处理室中,本体部份及臂构件与室地板分开,及施加装置,用以施加电荷于支持表面上,俾由静电连接晶片于支持表面上。14. 如申请专利范围第13项所述之支持系统,且另包含一载架组件,可安装于该室上,及臂构件安装于载架组件上。15. 如申请专利范围第13项所述之支持系统,其中,臂构件可安装于处理室之室壁上。16. 如申请专利范围第15项所述之支持系统,其中,室壁包含多个侧壁部份,且其中,臂构件置于本体部份上,俾当支持系统安装于处理室上时,壁部份安装于侧壁部份之一上。17. 如申请专利范围第13项所述之支持系统,其中,支持系统包含二臂构件。18. 如申请专利范围第13项所述之支持系统,其中,用以施加电荷之装置包含一电压源远离本体部份,及至少一电连接线连接至电压源,并延伸穿过臂构件之一中所构制之一通道。19. 如申请专利范围第13项所述之支持系统,其中,用以施加电荷之装置包含至少一电极由该本体部份携带,及一电极冷却系统用以冷却该电极,电极冷却系统包含一液体源远离该本体部份,及一导管延伸穿过另一臂构件中所构制之一通道。20. 如申请专利范围第19项所述之支持系统,其中,用以施加电荷之装置包含至少一电连接线延伸穿过另一臂构件中所构制之一通道。21. 如申请专利范围第13项所述之支持系统,且另包含偏压装置,用以施加RF偏压于该本体部份上。22. 如申请专利范围第21项所述之支持系统,其中,该偏压装置包含远离本体部份之一偏压源,及至少一电连接线延伸穿过臂构件之一中之一通道。23. 如申请专利范围第13项所述之支持系统,且另包含一晶片冷却系统,用以冷却晶片。24. 如申请专利范围第23项所述之支持系统,其中,该晶片冷却系统包含一气体物质之来源,及一导管连接气体物质源至支持表面,导管延伸穿过臂构件之一中所构制之一通道。25. 如申请专利范围第24项所述之支持系统,其中,晶片冷却系统包含多个气体分布槽构制于支持表面上。26. 如申请专利范围第24项所述之支持系统,其中,该支持体包含保护装置,用以防止晶片不幸与支持表面分离。27. 如申请专利范围第26项所述之支持系统,其中,该导管包含一内充气空间连接至气体源,及一外充气空间连接至支持表面,且其中,保护装置包含用以限制内充气空间及外充气空间之间之气体物质之流量之装置。28.如申请专利范围第24项所述之支持系统,其中,该导管包含至少一孔延伸穿过支持表面。29. 如申请专利范围第28项所述之支持系统,其中,该本体部份包含至少一升降构件,可对支持表面升降于一伸出位置及一缩回位置之间,在伸出位置,升降构件伸出通过支持表面之孔,以支持晶片于支持表面上方,在缩回位置,升降构件缩回至支持构件下面。30. 一种用以支持处理室中之晶片方法,俾便处理该晶片,该方法包含步骤:置晶片于具有至少一电极之一支持体之一晶片支持表面上,施加一电压于电极上,俾由静电吸住晶片于支持表面上,及在处理晶片后,使电极大致接地,以充清除放静电电荷,俾放开支持表面上之晶片。31. 如申请专利范围第30项所述之方法,其中,该支持体包含一对电极,且其中,该施加电压之步骤包含施加一正电压于一电极上及施加一负电压于另一电极上。32. 如申请专利范围第31项所述之方法,其中,该施加电压之步骤包含在晶片移离处理室后,转换施加于该对电极上之电压之极性。33. 如申请专利范围第30项所述之方法,且另包含施加一RF偏压于支持体上之步骤。34. 如申请专利范围第33项所述之方法,其中,施加RF偏压于电极上之步骤包含在电气上连接一RF源至电极。35. 如申请专利范围第34项所述之方法,其中,施加RF偏压于支持体上之步骤包含在电气上连接可变电容器于RF源及电极之间,并调整电容器,以改变输送于晶片上之RF形态。36. 如申请专利范围第30项所述之方法,其中,该处理为一电浆加强沉积法,使用一电浆源,且其中,使电极大致接地之步骤在电浆源之作用期间中执行。37. 如申请专利范围第30项所述之方法,且另包含冷却晶片之步骤。38. 如申请专利范围第37项所述之方法,其中,该冷却步骤包含引入一气体物质于支持表面上所构制之多个气体分布槽中。图示简单说明:图1为依本发明所构制之一静电支持系统之概要图,显示装于一处理室中。图2为图1之静电支持系统之顶视,部份切开图,显示支持一晶片。图3为图1之静电支持系统之支持表面之顶视图。图4为大致沿图3之线4—4上所取之断面图,显示升降销在伸出位置中,支持一晶片。图5为电极组件之底座之底平面图。图6为本发明之电极组件及DC及RF电压源之放大概要断面,部份切开图。图7为支持体12之离子焦环及护环之放大断面,部份切开图。图8为升降机构之放大断面,部份切开图,显示升降销在缩回位置及一晶片置于支持表面上。图9为大致沿图4之线9—9上所取之断面图。图10为大致沿图8之线10—10上所取之断面图。 |
