| 主权项 |
1. 一种半导体单结晶制造方法,其系将原料供给部之下端浸入贮留于坩埚内之融液,以作上述原料供给部与单结晶生成部之气相分离,同时,将原料多结晶自上述原料供给部连续供给至上述融液中以进行半导体单结晶之拉引操作,其特征在于:于连接单结晶生成部之排气管路和连接原料供给部之排气管路之合流点与上述单结晶生成部间设置阀,同时,在上述合流点与原料供给部间之排气管路设置阀,藉由分别调节上述阀之开度使单结晶生成部之压力维持高于原料供给部之压力。2. 如申请专利范围第1项之半导体单结晶制造方法,其中,单结晶生成部与原料供给部之压力差维持在0.5-1Torr。3. 如申请专利范围第1项之半导体单结晶制造方法,其中,流经单结晶生成部之不活性气体的一部份系自位在原料供给部下端之原料供给管浸入融液部份上方,且沿与原料供给管之轴心垂直之开口部被导入上述原料供给管中。图示简单说明:第1图系利用连续进料法之半导体单结晶制造装置中的不活性气体管线的概要说明图;第2图系说明原料供给管内外之融液液面变化的图式,其中,(a)系单结晶生成部之压力维持高于原料供给部之压力的状况,(b)系单结晶生成部之压力较原料供给部之压力低的状况;第3图系原料供给管的断面图;第4图系显示使用第3图之原料供给管之不活性气体的流动状况之说明图;第5图系另一原料供给管的断面图;第6图系概要显示利用连续进料法之半导体单结晶制造装置的例子的断面图;及第7图系说明原料供给管中不活性气体之滞留状况的说明 |
