用于形成半导体器件金属布线的方法

摘要

一种用于在高集成度半导体器件中形成与下导电层接触的上金属布线的方法。此方法包括在下绝缘层上形成金属布线，在绝缘层上形成一接触孔以暴露出下导电层，以及在接触孔中生长金属层以填满此接触孔等步骤，从而金属布线层可与下导电层相接触。

主权项

1.一种用于形成半导体器件金属布线的方法，其特征在于包括下列步骤：在半导体衬底上形成第一导电层；在第一导电层形成后获得的结构上形成绝缘层，然后在绝缘层上形成金属布线掩模；用金属布线掩模把绝缘层部分刻蚀到一所要的厚度，从而形成一槽，然后在槽底部注入硅离子，从而形成硅注入区；除去金属布线掩模，然后在槽中选择性地生长钨，从而形成第一选择性生长钨层。在此第一钨层形成后获得的结构上形成接触掩模，然后用接触掩模对第一钨层和绝缘层进行刻蚀，从而形成用来暴露出第一导电层的接触孔；以及除去接触掩模，然后在接触孔中选择性地生长钨，从而形成填满接触孔的第二选择性生长钨层，这里用作上导电层的第一钨层与第一导电层在电气上相连。