| 主权项 |
1. 一种钨材料选择性沈积方法,包括:一于孔道位置依序形成钛层及氮化钛层;一进行快速温度处理,以使氮化钛层表面转变为含浓氮之氮化钛;一沈积钨化钛形成于氮化钛表面;一实施非均向性蚀刻,以蚀刻去除附着在外表面之钨化钛,而仅在孔道内壁位置形成侧壁型态之钨化钛;一实施钨化材料之化学气相沈积,使钨材料仅沈积形成于孔道内者。2. 一种钨材料选择性沈积方法,包括:一于孔道位置依序形成钛层及氮化钛层;一进行钨材料沈积,以形成附着在表层之钨材料薄膜;一实施非均向性蚀刻,以去除位在孔道以外区域之各层材料,而仅在孔道壁面形成侧壁型态之钛/氮化钛/钨之多层材料;一进行全面性钨材料之化学气相沈积,使钨材料仅沈积形成于孔道内者。3.如申请专利范围第2项所述之钨材料选择性沈积方法,其中该氮化钛材料可由钨化钛取代者。4. 一种钨材料选择性沈积方法,包括:一于孔道位置形成钛层;一进氮气环境下进行快速温度处理,以使钛层表面转变为氮化钛;一实施非均向性蚀刻,以蚀刻去除附着在外表面之各层材料,而仅在孔道内壁位置形成侧壁型态之钛及氮化钛;一实施钨材料之化学气相沈积,使钨材料仅沈积形成于孔道内者。图示简单说明:第一A-E图:系本发明第一实施例之制法示意图。第二A-D图:系本发明第二实施例之制法示意图。第三A-D图:系本发明第三实施例之制法示意图。 |
