发明名称 在预金属蚀刻制程中减少损失金属矽化物的制造方法
摘要 一种在预金属蚀刻制程中减少损失金属矽化物的制造方法,包括下列步骤:首先提供一矽基底,其上形成有复晶矽闸极和布植之源 /汲极区,该复晶矽闸极和该源 /汲极区上并形成有金属矽化物层,且在上述各层表面上形成有一保护用玻璃层;接着乾蚀刻该保护用玻璃层,以形成接触窗,该金属矽化物层在该接触窗处会形成一受损之金属矽化物层;再进行热处理来条补该受损之金属矽化物层;以及最后进行预金属蚀刻。依照上述步骤,在预金属蚀刻后,金属矽化物层仍然保持极低的阻值,而能维持低阻值的源/汲极片电阻和低接面漏电流,以避免电晶体特性受影响。
申请公布号 TW290719 申请公布日期 1996.11.11
申请号 TW085104465 申请日期 1996.04.15
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈东波;潘鸿赐
分类号 H01L21/311 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种在预金属蚀刻制程中减少损失金属矽化物的制造方法,包括下列步骤:提供一矽基底,其上形成有复晶矽闸极和布植之源/汲极区,该复晶矽闸极和该源/汲极区上并形成有金属矽化物层,且在上述各层表面上形成有一保护用玻璃层;乾蚀刻该保护用玻璃层,以形成接触窗,该金属矽化物层在该接触窗处会形成一受损之金属矽化物层;进行热处理来修补该受损之金属矽化物层;以及进行预金属蚀刻。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中进行热处理系指以炉管进行加热,其温度为550℃至850℃,时间为5到30分钟之间。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中进行热处理系指进行快速高温制程,其温度为550℃至850℃,时间为10秒到3分钟之间。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该保护用玻璃层系指硼磷矽玻璃层。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该保护用玻璃层系指磷矽玻璃层。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该金属矽化物层系指矽化钛层。图示简单说明:第1图是习知之金属溅镀沈积制程前的步骤流程图。第2A至2B图是习知的预金属蚀刻制程前与制程后的剖面示意图。第3图是依照本发明之金属溅镀沈积制程前的步骤流程图。第4A至4B图是依照本发明一较佳实施例的预金属蚀刻制程
地址 新竹科学工业园区工业东三路三号