| 主权项 |
1. 一种基板处理系统,系具备有:能够载置至少一个,收容复数枚的被处理体的,晶圆盒的晶圆盒站、及具有对前述被处理体实施处理的复数的处理室并有将前述被处理体搬入前述处理室及将前述被处理体从前述处理室搬出的被处理体搬送手段的处理站、及在前述晶圆盒站与前述处理站之间交接被处理体的第1被处理体交换手段、及、具有,使前述被处理体等待的被处理体等待区域并在与前述处理站之间进行前述被处理体的交接的第2被处理体交接手段的,介面部,而前述处理站的前述处理室是设置在前述被处理体搬送手段的周围,而前述被处理体搬送手段具有几乎与垂直方向平行的回转轴,并能够延着回转轴在垂直方昇降,而且前述回转轴能够回转。2. 如申请专利范围第1项之系统,其中前述的复数的处理室为烤炉型的单片式处理单元,或者是一边将前述被处理机保持在吸着手段上一边对前述被处理体施行处理的旋转台型的单片式处理单元。3. 如申请专利范围第2项之系统,其中前述的烤炉型的单片式处理系统包含:对前述被处理体施行前置烘烤或后置烘烤的烘烤单元、及、对前述被处理体施行附着处理的附着处理单元。4. 如申请专利范围第1项之系统,其中前述的介面界具有用以对前述被处理机的外周缘部施行曝光处理的周边曝光装置。5. 如申请专利范围第1项之系统,其中前述的介面部具有用以暂时收容前述被处理体的缓冲晶圆盒。6. 如申请专利范围第1项之系统,其中复数的处理室配置成多层堆积的复数区块,而前述复数区块可以向着特定方向一起来移动。7. 如申请专利范围第1项之系统,其中前述的处理室包含对前述被处理体施行前置烘烤处理或是后置烘烤处理的烘烤单元:而前述的烘烤单元具有载置前述被处理体的载置台及设在前述载置台上的锥状面;并具有使前述被处理机从前述载置台表面以浮起状态而被前述锥状面所支撑的支撑部材。8. 如申请专利范围第1项之系统,其中前述的处理室包含对前述被处理体施行附着处理的附着单元;而前述附着单元具有用以将处理气体导入单元内的处理气体导入手段及用以将前述单元内的气体排出的排气手段;藉由前述气体排气手段而实质上不减压的一边从前述单元内排气,一边藉由前述处理气体导入手段将处理气体导入前述的单元内。9. 如申请专利范围第1项之系统,其中前述的处理室包含对前述被处理体施行显像处理的显像单元;而前述显像单元具有:将提供亲水性的物质供应给形成在前述被处理体的表面的膜的手段。10. 一种处理方法,系具备有:在被处理体的表面形成由感光性材料所构成的膜的过程,及供应提供亲水性的物质给前述的膜,并在前述的膜上形成亲水性膜的过程、及对形成了前述亲水性膜的膜施行显像处理的过程。11. 如申请专利范围第10项之方法,其中前述的显像处理是在显像液的接触角为50@bs3以下的条件下对前述亲水性膜上供应显像液而进行。12. 如申请专利范围第10项之方法,其中前述的物质系聚乙烯醇或是蔗糖。13. 如申请专利范围第10项之方法,其中前述的物质系在水溶液的状态而前述水溶液的粘度在10cp以下。14.如申请专利范围第13项之方法,其中前述的水溶液的粘度是2-3cp。15. 如申请专利范围第10项之方法,其中前述的亲水性膜的厚度平均在3000埃以下。16. 如申请专利范围第10项之方法,其中前述的亲水性膜的厚度平均在500埃以下。17. 如申请专利范围第10项之方法,其中前述的亲水性膜系藉由,在对前述膜上供应前述物质的水溶液之后,使前述被处理体回转而使前述水溶液扩散到整个前述的膜,而形成。18. 如申请专利范围第10项之方法,其中前述的亲水性膜系藉由,一边使前述被处理使回转一边对前述膜上供应前述物质的水溶液并使前述水溶液扩散到整个前述的膜,而形成。图示简单说明:第1图系显示从前的基板处理系统的斜视图。第2图系显示本发明的基板处理系统的全体构成的平面图。第3图系显示本发明的基板处理系统的全体构成的侧面图。第4图系显示本发明的基板处理系统的全体构成的背面图。第5图及第6图系显示本发明的基板处理系统的清洁空气的流动的图。第7图系显示本发明的基板处理装置的晶圆盒站的构成的平面图。第8图系显示本发明的基板处理装置的晶圆盒站的构成的断面图。第9图系显示适用平行度调整手段的晶圆盒站的晶圆搬送体的驱动马达(motor)支撑构造的斜视图。第10图系显示图9所示平行度调整手段的要部的部份断面图。第11图系显示本发明的基板处理系统的处理站的主晶圆搬送机构的要部的构成的斜视图。第12图系显示本发明的基板处理系统的主晶圆搬送机构的要部的构成的断面图。第13图系图12中由箭头A的方向的视图。第14图系图12中由箭头B的方向的视图。第15图系显示图12中由箭头C的方向的视图。第16图系本发明的基板处理系统的处理站的对整(alignment)单元内的要部的构成的平面图。第17图系显示本发明的基板处理系统的处理站的对整单元内的要部的构成的侧面图。第18图系显示本发明的基板处理系统的烘烤单元内的构成的平面图。第19图系显示本发明的基板处理系统的烘烤单元内的构成的断面图。第20图系显示本发明的基板处理系统的烘烤单元的晶圆引导支撑突出部的构成的侧面图。第21图系显示图20所示的晶圆引导支撑突出部的构成的要部断面图。第22图系显示本发明的基板处理系统的附着单元的构成的断面图。第23图系显示本发明的基板处理系统的介面部的构成的侧面图。第24图系显示本发明的基板处理系统的介面部的构成的平面图。第25图系显示在显像液中气泡发生的状态的图。第26图系显示形成了光阻图案(pattern)的被处理体的断面图。第27图系显示本发明的基板处理系统的显像部的正面图。第28图系图27所示的显像部的平面图。第29图系显示本发明的基板处理系统的显像部的显像液供应装置的斜视图。第30图系用以说明图29所示的显像液供应装置的动作的图。第31图系用以说明显像液与被处理体间的接触角的图。第32图显示显像液的接触角与显像的缺陷的关系的图。第33-36图系显示本发明的基板处理系统的其它实施例的 |
