半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件。所述半导体器件包括：位于衬底上的第一鳍型图案；位于衬底上的第一层间绝缘层，其覆盖第一鳍型图案并且包括第一沟槽，所述第一沟槽与第一鳍型图案交叉；第一栅电极，其位于填充第一沟槽的第一鳍型图案上，第一栅电极的上表面与第一层间绝缘层的上表面共面；封盖层，其沿着第一层间绝缘层的上表面并且沿着第一栅电极的上表面延伸；以及位于封盖层上的第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层包括与封盖层的材料不同的材料。

主权项

一种半导体器件，包括：第一鳍型图案，其设置在衬底上；第一层间绝缘层，其设置在衬底上，覆盖第一鳍型图案并且包括第一沟槽，所述第一沟槽与第一鳍型图案交叉；第一栅电极，其设置在第一鳍型图案上，所述第一栅电极填充第一沟槽，第一栅电极的上表面与第一层间绝缘层的上表面共面；封盖层，其覆盖第一层间绝缘层的上表面和第一栅电极的上表面；以及第二层间绝缘层，其设置在封盖层上，所述第二层间绝缘层包括与封盖层的材料不同的材料。