| 主权项 |
1. 一种切割半导体晶圆之装备,包含:一晶圆位于表面之底座;保持该半导体晶圆与该表面接触之装置;自该表面跨越延伸且公开之各线;拉紧各该线之装置;纵向移动各该线之装置;带动各该线与该表面彼此接近或更加远离之装置;及形成在该表面以对齐于各该线之各凹槽,以容许移动之各该线在切过该晶圆后,落入各该凹槽中。2. 如申请专利范围第1项之装备,其中该底座之表面是弯曲的。3. 如申请专利范围第1项之装备,其中该表面为球形。4. 一种切割半导体晶圆之装备包含:一底座,其弯曲表面上放置着该半导体晶圆;保持该半导体晶圆与该表面接触之装置;延伸越过该半导体晶圆之线阵列;拉紧各该线之装置;纵向移动各该线之装置;及带动该组线与该曲面彼此接近且远离以锯过该半导体晶圆之装置。5. 如申请专利范围第4项之装置,并含在该曲面上与各该线对齐之凹槽。6. 如申请专利范围第4项之装置,并含:与该所提之第一线阵列有一既定距离且正交之第二线阵列;拉紧该第二线阵列之装置;纵向移动该第二线阵列之装置;及移动该第二线阵列与该曲面彼此接近且远离,正交于该第一线阵列锯过该半导体晶圆,而切割该半导体晶圆。7. 如申请专利范围第6项之装置,并含:在该曲面上至少对齐该第一和第二线阵列其中之一的各凹槽。8. 如申请专利范围第7项之装备,其中在该曲面上之各该凹槽对齐于接近它之线阵列组。9. 如申请专利范围第4项之装备,其中该保持晶圆与该表面接触之装置包含:形成自该表面延伸进入该底座之各通路的装置;及在各该通路产生真空之装置。10. 如申请专利范围第4项之装备,其中该保持晶圆与该表面接触之装置包含:许多装在该底座周边附近,且调适成朝向放置在该底座上之晶圆周边附近底座施力之夹子。11. 如申请专利范围第9项之装备,其中该保持晶圆与该表面接触之装置包含:许多装在该底座周边附近,且调适成朝向放置在该底座上之晶圆周边附近底座施力之夹子。12. 一种切割半导体晶圆之装备,包含:一具有球面之底座,接受且保持该半导体晶圆以作切割;形成自该表面延伸之通路的装置;减少该通路之空气压力,以便将该半导体晶圆坚实地保持在该表面上之装置;第一平行线阵列;第二平行线阵列;纵向移动该第一和第二线阵列之装置;在第一线阵列较接近该球面且与第二线阵列正交的方式下,保持该第一和第二线阵列在该球面上彼此相距一既定距离之装置;以垂直于该表面之方向移动该第一和第二线阵列以锯过该半导体晶圆之装置;及在该球面上对齐该第一阵列之各线的各凹槽。13.如申请专利范围第12项之装备,并含:在该球面上对齐该第二阵列之各线的各凹槽。14.如申请专利范围第12项之装备,其中既定距离小于被切割晶圆之厚度。15. 如申请专利范围第12项之装备,其中该第一和第二阵列之各线均为独立线。16. 如申请专利范围第12项之装备,其中该第一和第二阵列之各线分别为一单线之各转折。17. 一种切割半导体晶圆之方法,其步骤包含:形成第一平行线锯阵列;形成第二平行线锯阵列;保持该第一和第二线锯阵列平行间隔分开并互相正交;保持该半导体晶圆在一坚硬的表面上;及移动该第一和第二线锯阵列通过该半导体晶圆以切割晶圆。18. 如申请专利范围第17项之方法,其中该保持之步骤并含将该半导体晶圆稍微弯曲成球形状态以作切割之步骤。19. 如申请专利范围第17项之方法,其中该第一和第二线锯阵列之间隔小于该半导体晶圆之厚度。20. 如申请专利范围第17项之方法,其中该移动步骤并含一起移动该第一和第二线锯。图示简单说明:图1示出本切割程序中,切过半导体晶圆之通道;图2为根据本发明,仅使用一组线锯构成之设备切割晶圆之俯视图;图3为沿图2线3-3之部分横截面图,其中晶圆并未弯曲;图4为本发明之优选实例中,沿图2设备线3-3之部分横截面图,其中晶圆是弯曲的;图5为沿图2线5-5之部分横截面图,其中晶圆并未弯曲;图6为沿图2设备线5-5之部分横截面图,其中晶圆如所希望的弯曲;图7为弯曲晶圆使有球形表面之俯视图;图8为当晶圆没有凸起时,线锯凸起或弯曲之部分横截面图;图9为当晶圆凸起时,线锯凸起或弯曲之部分横截面图;图10为具有正交的间隔分开的线锯阵列设备之等角视图;图11为沿图10线11-11之横截面图;图12为具有正交的线锯阵列之本发明中一种优选设备切割晶圆之俯视图;图13为沿图12设备线13-13之横截面图;以及 |
