发明名称 具单位功因之三相降压型交流变直流转换装置
摘要 藉由一种简单的电路结构,无须使用到电流感测器即可以达到单位功率因数及抑制输入电流谐波之三相降压型交流变直流转换装置。其中藉着串接三相电源于壹类似用之三相全桥式反流器架构之输入端,而于该三相全桥式反流器架构之输出端并联一个功率二极体及一个由电感器与滤波电容器所组成之串联电路,而负载则并接于此滤波电容器。本创作装置之另外一个特点,乃在于利用平衡三相电压彼此相移120度之特性可将平衡三相电压一周期依各相电压大小之最正或最负,分成6种不同之区间,再依各不同之区间之特性以决定三相全桥式反流器架构之6个半导体开关元件之切换函数,以达到无须再串接一级用之功因校正电路即可达到高效率且输入端具单位功率因数及低谐波之效果,并可同时获得可降压之直流输出电压。
申请公布号 TW299090 申请公布日期 1997.02.21
申请号 TW085214789 申请日期 1996.09.23
申请人 潘晴财;谢振中 嘉义巿自强街八十四巷一一一号 发明人 潘晴财;谢振中
分类号 H02M7/02 主分类号 H02M7/02
代理机构 代理人
主权项 1. 一种可降压型之三相交流变直流转换器,其特征为自壹三相交流电源串接壹三相高频LC滤波电路后至壹类似三相全桥式反流器架慢之输入端,该三相全桥式反流器架慢之输出端并接壹功率二极体与另一由电感器与壹滤波电容器串联之电路,负载则并接于此滤波电容器,其特点乃在于利用平衡三相电压彼此相移120度之特性可将平衡三相电压一周期依各相电压大小之最正或最负,分成6种不同之区间,再依各不同之区间之特性以决定三相全桥式反流器架慢之6个半导体开关元件之切换函数,以达到无须再串接一级习用之功因校正电路即可达到高效率且输入端具单位功率因数及低谐波之效果,并可同时获得可降压之直流输出电压。2. 依申请专利范围第一项所述之三相降压型交流变直流转换器,其中,在三相全桥式反流器架慢在并接壹功率二极体前先并接壹电感器再串接壹电容器,其六个半导体开关元件之切换函数类如申请专利范围第一项所述,而形成另一型式之三相降压型交流变直流转换器。3. 依申请专利范围第一项所述之三相降压型交流变直流转换器,其中,在三相全桥式反流器架慢在并接壹功率二极体前,先并接壹变压器之一次侧后,再串接壹功率二极体于变压器之二次侧,此变压器之二次侧再后续连接于原电路,而形成另一型式之三相降压型交流变直流转换器。4. 依申请专利范围第三项所述之三相降压型交流变直流转换器,其中,将变压器之二次侧绕组以多绕组取代,并于其他二次侧绕组之输出端加入与原单一绕组相同之电路架慢,而形成另一种隔离型多输出之三相降压型交流变直流转换器。5. 依申请专利范围第二项所述之三相降压型交流变直流转换器,其中,将电感器改换成壹变压器,以隔离电源侧及负载侧,而形成另一型式之隔离型之三相降压型交流变直流转换器。6. 依申请专利范围第五项所述之三相降压型交流变直流转换器,其中,将变压器之二次侧绕组以多绕组取代,并于其他二次侧绕组之输出端加入与原单一绕组相同之电路架慢,而形成另一种隔离型多输出之三相降压型交流变直流转换器。图示简单说明:图一:表示一般习用之三相降压型交流变直流转换器。图二:表示在图一中a相之输入电压、电流波形。图三:表示本创作之三相降压型交流变直流转换器的第一实施例。图四:表示三相输入电压波形示意图。图五:本创作装置之第一实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=1.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=1.C@ssC@ss+=0.C@ssC@ss-=0时,半导体开关元件S1与S4导通,S2.S3.S5及S6截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图六:本创作装置之第一实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=1.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=0.C@ssC@ss+=0.C@ssC@ss-=1时,半导体开关元件S1与S6导通,S2.S3.S4及S5截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图七:本创作装置之第一实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=0.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=1.C@ssC@ss+=1.C@ssC@ss-=0时,半导体开关元件S5与S4导通,S1.S2.S3及S6截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图八:本创作装置之第一实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=0.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=0.C@ssC@ss+=1.C@ssC@ss-=1时,半导体开关元件S1.S2.S3.S4.S5及S6截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图九:表示本创作之三相降压型交流变直流转换器的第二实施例。图十:本创作装置之第二实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=1.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=1.C@ssC@ss+=0.C@ssC@ss-=0时,半导体开关元件S1与S4导通,S2.S3.S5及S6截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图十一:本创作装置之第二实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=1.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=0.C@ssC@ss+=0.C@ssC@ss-=1时,半导体开关元件S1与S6导通,S2.S3.S4及S5截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图十二:本创作装置之第二实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=0.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=1.C@ssC@ss+=1.C@ssC@ss-=0时,半导体开关元件S5与S4导通,S1.S2.S3及S6截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图十三:本创作装置之第二实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=0.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=0.C@ssC@ss+=1.C@ssC@ss-=1时,半导体开关元件S1.S2.S3.S4.S5及S6截断,此时本创作装置之电路之等效电路。图十四:本创作装置之第二实施例在图四之区间A且控制信号C@ssa@ss+=0.C@ssa@ss-=0.C@ssb@ss+=0.C@ssb@ss-=0.C@ssC@ss+=1.C@ssC@ss-=1时,半导体开关元件S1.S2.S3.S4.S5及S6截断,且电感器(43)与(46)之电流相等时,本创作装置之电路之等效电路。图十五:本创作装置之第一实施例之隔离型输出架慢。图十六:本创作装置之第一实施例之隔离型多输出架慢。图十七:本创作装置之第二实施例之隔离型输出架慢。图十八:本创作装置之第二实施例之隔离型多输出架慢。图十九:本创作装置未滤波前之三相输入电流波形图。图二十:本创作装置经高频滤波器后之a相电压、电流波
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